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[導(dǎo)讀]安森美半導(dǎo)體電源方案部(PSG)加速了擴(kuò)展分立器件、集成電路(IC)、模塊和驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品陣容,針對(duì)汽車(chē)應(yīng)用中的高電源能效方案。公司電源方案部的汽車(chē)認(rèn)證的器件數(shù)現(xiàn)已超過(guò)4,000,是該行業(yè)中最大的供應(yīng)商。此外,用于汽車(chē)功能電子化的電源半導(dǎo)體方案也已達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的水平。

安森美半導(dǎo)體電源方案部(PSG)加速了擴(kuò)展分立器件、集成電路(IC)、模塊和驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品陣容,針對(duì)汽車(chē)應(yīng)用中的高電源能效方案。公司電源方案部的汽車(chē)認(rèn)證的器件數(shù)現(xiàn)已超過(guò)4,000,是該行業(yè)中最大的供應(yīng)商。此外,用于汽車(chē)功能電子化的電源半導(dǎo)體方案也已達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的水平。

 

雖然一些汽車(chē)半導(dǎo)體供應(yīng)商正在減少對(duì)標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品的關(guān)注,但安森美半導(dǎo)體繼續(xù)投資于汽車(chē)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)分立器件的基本構(gòu)件模塊,同時(shí)擴(kuò)大針對(duì)汽車(chē)功能電子化的電源方案陣容。在現(xiàn)有的標(biāo)準(zhǔn)的和高性能的分立器件陣容中,最新的擴(kuò)展包括低正向電壓整流器系列、一系列精密的電流檢測(cè)放大器、高ESD等級(jí)的數(shù)字晶體管、低鉗位ESD保護(hù)器件、RF分立器件、高噪聲抑制(高電源抑制比PSRR)低壓降穩(wěn)壓器(LDO)、圖像傳感器,和業(yè)界首款真正的grade 0(150°C)EEPROM,結(jié)合擴(kuò)展的兼容汽車(chē)自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)(AOI)的小外形可潤(rùn)側(cè)翼封裝。這些都是重點(diǎn)持續(xù)投資于汽車(chē)市場(chǎng)現(xiàn)有的標(biāo)準(zhǔn)的和高性能產(chǎn)品的典型例子。

 

安森美半導(dǎo)體電源方案部(PSG)汽車(chē)半導(dǎo)體方案

針對(duì)快速增長(zhǎng)的電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng),安森美半導(dǎo)體推出了許多IGBT、低中高壓MOSFET、高壓整流器、汽車(chē)模塊和數(shù)字隔離柵極驅(qū)動(dòng)器以及一個(gè)用于48V系統(tǒng)的80 V 和100V MOSFET。最新增加到汽車(chē)電源半導(dǎo)體陣容的包括用于主逆變器的650 V至1200V IGBT、1200 V SiC二極管、用于充電器的650 V超級(jí)結(jié)MOSFET、用于48V系統(tǒng)的80 V至200 V極低RDSon(< 1mΩ 至10mΩ)的分立MOSFET和模塊、用于電動(dòng)汽車(chē)輔助系統(tǒng)的600至1200V智能功率模塊(IPM)、和用于泵及電機(jī)的各種40 V至60 V MOSFET。

展望未來(lái),安森美半導(dǎo)體電源方案部正擴(kuò)展針對(duì)下一代電源半導(dǎo)體的方案陣容,包括針對(duì)汽車(chē)功能電子化的寬禁帶WBG(碳化硅SiC和氮化鎵GaN)、全系列電子保險(xiǎn)絲eFuse以減少線(xiàn)束和免電池的智能無(wú)源傳感器以在汽車(chē)感測(cè)/車(chē)身應(yīng)用中增添功能。

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