IHS iSuppli公司的研究顯示，憑借其新型Tri-Gate 3-D晶體管技術(shù)，英特爾將得到其所需的低功率微處理器，進軍平板與智能手機半導體市場，并擊退ARM芯片可能向PC領(lǐng)域發(fā)起的進攻。

英特爾將利用其22納米制程技術(shù)生產(chǎn)基于3-D tri-gate晶體管的x86微處理器。這些微處理器的功耗將不到采用32納米制程和傳統(tǒng)平面晶體管的器件的一半，但性能毫不遜色。

功耗下降50%非常可觀。電子器件的功耗越小，電池的續(xù)航時間就越長，用戶就能移動更遠的距離。

英特爾的舉措，將使其能夠再度試圖在平板與智能手機芯片組市場建立自己的地盤。現(xiàn)在該市場由基于ARM的應用與基帶處理器占據(jù)。但是，雖然更小的制程將幫助英特爾滲透移動設(shè)備市場，但這只是其中的一個因素，對于這些類型的器件來說，功率效率還要求對處理器進行系統(tǒng)級優(yōu)化。

ARM勢頭強勁

Tri-Gate技術(shù)也可以充當英特爾的防御手段。在其核心的PC微處理器領(lǐng)域，英特爾正面臨來自ARM的新挑戰(zhàn)。微軟在2011年第一季度宣布，將在下一版Windows操作系統(tǒng)中支持ARM微處理器，這在全球PC市場中是一個重大變化。以前Windows幾乎一直是x86的獨家操作系統(tǒng)。

憑借歷來在功耗方面的優(yōu)勢，ARM可能堅持打入PC領(lǐng)域的x86核心市場，尤其是在筆記本領(lǐng)域。但是，Tri-Gate將使X86能夠更好地抗衡ARM。就功耗而言，在筆記本、上網(wǎng)本、平板電腦和智能手機等低功耗設(shè)備方面，X86與ARM競爭的能力將變得更強。

值得大批量生產(chǎn)

英特爾的Tri-Gate晶體管技術(shù)采用3D結(jié)構(gòu)，可以大大提高功率效率。3D概念在芯片制造方面并不是新東西，臺積電和IBM幾年來一直在開發(fā)這種技術(shù)。但是，與臺積電/IBM的努力不同，英特爾的Tri-Gate技術(shù)已可批量生產(chǎn)，這是重大的技術(shù)成就。

投入大批量生產(chǎn)的能力，應該使英特爾比競爭對手具有兩到三年的制造優(yōu)勢。

英特爾Tri-Gate技術(shù)的其它優(yōu)勢包括制程縮小能力、成本、產(chǎn)品路線圖和不必使用特殊晶圓。

當下一代光刻設(shè)備問世的時候，Tri-Gate可以縮小到小于20納米的水平，從而可以進一步提高性能、改善功耗和降低成本。另外，Tri-Gate技術(shù)的單位器件制造成本只比傳統(tǒng)平面技術(shù)高出2-3%左右。

Tri-Gate也為英特爾提供了一個路線圖，把它的22納米半導體制程擴展到Atom平臺，這可能促成可以用于手機的低功耗微架構(gòu)的出現(xiàn)。

最后，轉(zhuǎn)向tri-gate晶體管使得英特爾不必采用絕緣硅(SOI)結(jié)構(gòu)就能夠制造全耗盡晶體管。這樣就不必使用成本高于普通晶圓的特殊SOI晶圓。

早該如此

英特爾在PC和服務器X86微處理器市場的主要對手AMD，多年來一直在致力于降低芯片功耗，與英特爾相似。

實際上，AMD最近推出了其加速處理器(APU)，把微處理器內(nèi)核與圖形處理器組合在同一個芯片之中。AMD芯片也著眼于在系統(tǒng)層面延長電池續(xù)航時間。