多晶片DRAM封裝將加速實(shí)現(xiàn)Ultrabook變形設(shè)計(jì)。英特爾(Intel)力拱的二合一(2-in-1)超輕薄筆電(Ultrabook)，因訴求低價(jià)、輕薄與可拆鍵盤等特色，進(jìn)而牽動(dòng)內(nèi)部零組件設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)變，如華碩、戴爾(Dell)等PC品牌廠已相繼導(dǎo)入新型多晶片(Multi-die)DRAM封裝，以簡(jiǎn)化印刷電路板空間(PCB)布局、縮減占位空間及50%以上基板成本。

Invensas副總裁暨技術(shù)長(zhǎng)RichardCrisp(右)提到，Invensas未來也將積極發(fā)展行動(dòng)裝置LPDDR3記憶體技術(shù)，擴(kuò)大營(yíng)收來源。左為Invensas資深業(yè)務(wù)發(fā)展總監(jiān)MasonWoodford

Invensas副總裁暨技術(shù)長(zhǎng)RichardCrisp表示，Ultrabook邁向輕薄設(shè)計(jì)、中低價(jià)位發(fā)展，同時(shí)還要兼顧運(yùn)算和記憶體效能，如何在有限的電路板空間中，提升動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)的容量密度與頻寬，已成為PC制造商共同課題；為此，業(yè)者除寄望DRAM制程演進(jìn)外，亦希望革新記憶體晶片封裝技術(shù)，讓PCB空間獲得更有效的利用，進(jìn)而縮減基板成本。

因應(yīng)市場(chǎng)設(shè)計(jì)趨勢(shì)，專攻半導(dǎo)體封裝架構(gòu)與矽智財(cái)(IP)方案的Invensas，已利用專利BVA(BondViaArray)封裝層疊(PackageonPackage,PoP)技術(shù)，開發(fā)出多晶片DRAM倒裝焊接(FaceDown)方案，包括DFD(DualFaceDown)和QFD(QuadFaceDown)兩種。不同于傳統(tǒng)DRAM正裝焊接法，DFD/QFD可縮減焊線長(zhǎng)度及封裝厚度，進(jìn)而降低DDR3、DDR4、LPDDR3記憶體尺寸約75%，并能提高50%以上的頻寬、傳輸速度和散熱性能。

Crisp透露，華碩、戴爾今年下半年將推出的新款Ultrabook及平板裝置，已搶先導(dǎo)入DFD/QFD解決方案；其中一款預(yù)估為筆電/平板二合一產(chǎn)品，足見Invensas封裝技術(shù)對(duì)輕薄行動(dòng)運(yùn)算裝置設(shè)計(jì)大有助益。

事實(shí)上，業(yè)界也看好三星(Samsung)、美光(Micron)力推的WideI/O或HMC(HybridMemoryCube)等新一代3DIC標(biāo)準(zhǔn)，可望讓記憶體模組兼具高頻寬、低功耗及小尺寸特色。然而，Invensas資深業(yè)務(wù)發(fā)展總監(jiān)MasonWoodford分析，此兩項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)均須導(dǎo)入矽穿孔(TSV)技術(shù)，由于制程復(fù)雜度極高，且須引進(jìn)新設(shè)備，導(dǎo)致成本高的嚇人，良率也尚未跨越量產(chǎn)門檻，短期內(nèi)將很難在市場(chǎng)上放量。

相較之下，DFD/QFD以一般BGA連接方式堆疊最多兩顆DRAM或四顆MobileDRAM晶片，不僅毋須改變生產(chǎn)設(shè)備，為封裝廠、系統(tǒng)業(yè)者省下大量成本，且效能亦可媲美WideI/O目前訂定的頻寬、速度和功耗等規(guī)格，因而受到業(yè)界關(guān)注。

Crisp強(qiáng)調(diào)，PC制造商為加速推升Ultrabook的市場(chǎng)滲透率，正持續(xù)降低終端產(chǎn)品售價(jià)以刺激消費(fèi)者采購(gòu)，對(duì)任何系統(tǒng)物料成本勢(shì)將錙銖必較；由于DFD/QFD封裝技術(shù)可降低記憶體占位空間，進(jìn)一步減少5～10美元基板成本，并有助簡(jiǎn)化PCB布局加速產(chǎn)品上市，可望吸引記憶體封裝業(yè)者爭(zhēng)相授權(quán)，并搶進(jìn)更多PC品牌廠、原始設(shè)備制造商(OEM)供應(yīng)鏈。