由于NAND Flash與DRAM的生產(chǎn)設備差異不大，上游芯片廠DRAM與NAND Flash產(chǎn)線會按照市場的供需及價格的變化而轉(zhuǎn)換生產(chǎn)。以下是原廠存儲工藝狀況。

目前全球Mobile DRAM主要供應商僅限于三星、爾必達(美光)、SK 海力士三家，爾必達的產(chǎn)能需要配合美光嵌入式存儲eMCP在手機中的應用，三星的產(chǎn)能要滿足自家的智能型手機需求，Mobile DRAM市場供應量一直表現(xiàn)緊缺。特別2013年開始智能型手機移動處理器進入四核世代，推動Mobile DRAM平均容量由1GB/2GB向2GB/4GB提升，對Mobile DRAM產(chǎn)能的消耗量增加了一倍，同時Mobile DRAM的銷售利潤又比NAND Flash高不少，三星、SK 海力士等更趨向于把NAND Flash生產(chǎn)線改生產(chǎn)Mobile DRAM。產(chǎn)能在2014年得到體現(xiàn)。

2013與2014年原廠DRAM的變化：　

單片WAFER 2xnm的DRAM比3xnm 的產(chǎn)量提高45% 左右。在2014年的DRAM市場，原廠更有成本優(yōu)勢，如果市場有變化的時候，DRAM價格將有較大的下跌空間。

NAND Flash與DRAM產(chǎn)品對比表


SAMSUNG 19nm的NAND FLASH 銷售不到USD1500，而2xnm的DRAM銷售在USD4000，原廠存儲芯片攤提折舊毛利潤材料成本= USD1500，可以看出NAND FLASH經(jīng)過3個月連續(xù)跌價后會基本穩(wěn)定，DRAM維持如此高的利潤，在持續(xù)原廠供應產(chǎn)能和市場疲軟的情況下，未來預計將會有更多的變化。