三星日前正式宣布已經(jīng)成功研發(fā)出業(yè)界內(nèi)首款采用第四代低功耗內(nèi)存技術(shù)LPDDR4的8Gb移動(dòng)DRAM。三星存儲(chǔ)銷(xiāo)售及市場(chǎng)推廣高級(jí)執(zhí)行副總裁Young-Hyun Jun表示：“下一代的LPDDR4 DRAM將會(huì)加快全球移動(dòng)DRAM市場(chǎng)的發(fā)展，并且將會(huì)迅速占據(jù)主導(dǎo)地位。三星將會(huì)繼續(xù)帶領(lǐng)DRAM市場(chǎng)不斷向前發(fā)展?！?

三星本次推出的高速8Gb的LPDDR4移動(dòng)DRAM將提供最高級(jí)別密度、性能和能效對(duì)比，能夠讓用戶(hù)更快更靈活的使用應(yīng)用，提供更加豐富的功能，在延長(zhǎng)電池續(xù)航的同時(shí)為高分辨率顯示屏提供支持。

本次8Gb的LPDDR4內(nèi)存采用20nm制程進(jìn)行制造，單一芯片上提供1GB，相比較現(xiàn)今使用DRAM的密度大大提高。通過(guò)裝備4塊8Gb的芯片能夠?qū)崿F(xiàn)4GB的LPDDR4的封裝，提供前所未有的性能體驗(yàn)。

這款全新的8Gb LPDDR 4采用了低電壓擺幅終端邏輯（LVSTL）I/O接口，該接口已經(jīng)通過(guò)了JEDEC的認(rèn)證?；谶@個(gè)全新的接口LPDDR 4芯片的數(shù)據(jù)傳輸速率能夠達(dá)到3200MBPs，是現(xiàn)有LPDDR3的兩倍。從總體上而言新的LPDDR4接口在性能上要比LPDDR3要高50%，此外能耗減少40%，維持在1.1伏特左右。