拓墣產(chǎn)業(yè)研究所表示，明年全球DRAM業(yè)具有大廠資本支出不會大舉增加、4G LTE興起推升需求等兩大利多，盡管仍將面臨PC出貨量持續(xù)萎縮的威脅，仍看好明年全球DRAM業(yè)產(chǎn)值將比今年成長17%，達(dá)379.2億美元（約新臺幣1.11兆元），連續(xù)二年維持成長態(tài)勢。

拓墣產(chǎn)業(yè)研究所半導(dǎo)體分析師陳蘭蘭表示，DRAM產(chǎn)業(yè)目前沒有新增加的產(chǎn)能，但因?yàn)樾枨蠖顺砷L力道走弱，業(yè)者制程微縮帶來的正面效益有限，因此在下一代新技術(shù)還沒決定之前，DRAM廠資本支出不會大舉增加，是明年產(chǎn)業(yè)第一大利多。

其次，明年4G LTE換機(jī)潮，將提升行動裝置搭載存儲器容量。以三星智能型手機(jī)為例，4G LTE旗艦機(jī)搭載存儲器容量達(dá)3GB，比3G旗艦機(jī)種的2GB增加五成，是產(chǎn)業(yè)第二大利多。

整體來看，明年DRAM產(chǎn)業(yè)面臨最大的威脅，在于全球PC出貨量持續(xù)萎縮，明年PC DRAM位元數(shù)需求成長率接近零成長。