自新型功率MOSFET、IGBT器件問世以來，借助對新結(jié)構(gòu)、新技術(shù)的研究，通過緩解MOSFET、IGBT類器件在關(guān)態(tài)擊穿與開態(tài)導(dǎo)通之間的矛盾，使得這類產(chǎn)品能夠有效地滿足實(shí)際工程對高速、高擊穿電壓、高可靠性方面的要求。伴隨著制造技術(shù)進(jìn)入到深亞微米時(shí)代，以SiC、GaN為代表的第三代功率器件正走向成熟，包含功率器件、功率集成電路、BCD工藝在內(nèi)的功率半導(dǎo)體技術(shù)正朝著高溫、高頻、低功耗、高功率容量，以及智能化、系統(tǒng)化、高度集成方向發(fā)展。

調(diào)查報(bào)告顯示，全球分立式功率晶體管市場在2012年受到整體經(jīng)濟(jì)形勢的影響出現(xiàn)大幅下滑之后，2013年正在此基礎(chǔ)上強(qiáng)勢反彈，預(yù)計(jì)今年全球功率晶體管市場的銷售額將增加7%，達(dá)到132億美元的規(guī)模，至2017年，全球分立式功率晶體管市場的營收將每年以8.5%左右的速度成長。功率器件市場之所以能夠重新步入高速發(fā)展的軌道，主要是由于在節(jié)能減排、綠色環(huán)保的新產(chǎn)業(yè)政策下，迫切要求對能源的利用率實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步的提升，功率器件作為提高能源轉(zhuǎn)換效率的關(guān)鍵部件，將在當(dāng)中發(fā)揮重要的作用。

從本刊采訪所接觸的廠商中了解到，2013年大部分功率器件廠商的出貨量均比去年同期出現(xiàn)了大幅的增長，這一勢頭有望持續(xù)到今年的第四季度，并且在市場持續(xù)放量以及某些外部因素的影響下，功率器件市場出現(xiàn)了暫時(shí)性供貨緊張的狀況。

需求量上漲，價(jià)格略有浮動(dòng)

針對最近一段時(shí)期功率器件市場供應(yīng)趨緊的情況，英飛凌科技(中國)有限公司電源管理與多元化市場部經(jīng)理胡鳳平分析道，主要原因來自于全球各國加大力度開發(fā)新能源、云存儲(chǔ)以及4G通信技術(shù)，不斷追求更高的能源效率，因此對功率半導(dǎo)體的需求量在持續(xù)攀升，導(dǎo)致其中一些型號的功率器件在短時(shí)間內(nèi)將出現(xiàn)供應(yīng)緊張的局面。

此外，近日瑞薩(Renesas)宣布自2013年第四季開始淡出PC相關(guān)MOSFET市場，也造成了一些型號的產(chǎn)品在短期內(nèi)呈現(xiàn)出供貨吃緊的情形，交貨期相對拉長，部分貨號的價(jià)格略有上揚(yáng)。

富鼎先進(jìn)電子股份有限公司市場部協(xié)理李景耀表示，瑞薩在臺(tái)灣市場的占有率較高，每月約出貨50~60百萬顆MOSFET，此次全面退出PC市場，最大的受益者將是臺(tái)灣廠商。目前富鼎先進(jìn)的MOSFET、IGBT、電源IC每月出貨量約為一億五千萬顆，大陸市場占公司整體營收貢獻(xiàn)的六成左右，預(yù)期公司今年下半年的MOSFET出貨量將有明顯上升。

市場的迅猛發(fā)展對于供應(yīng)商的產(chǎn)能和產(chǎn)品可靠性都提出了更高的要求，為此，一些廠商開始致力于采用大尺寸硅芯片，通過更高端的超高密度細(xì)胞設(shè)計(jì)，使芯片更小型化且阻抗超低化，來提高功率器件的產(chǎn)能。例如，目前，英飛凌基于12英寸硅芯片所開發(fā)的功率MOSFET已經(jīng)開始批量交貨，胡鳳平表示，將大尺寸硅芯片運(yùn)用在功率器件的生產(chǎn)中，將在生產(chǎn)產(chǎn)能以及產(chǎn)品一致性控制上取得顯著的提升。

積極擴(kuò)充不同電壓段的產(chǎn)品，加強(qiáng)針對不同應(yīng)用領(lǐng)域的供貨能力，也是目前眾多功率器件廠商的一項(xiàng)重要工作。臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司市場營銷經(jīng)理溫俊嘉介紹道，公司今年第三季的出貨量預(yù)計(jì)將在第二季的基礎(chǔ)上再增加約15%，且總體營收利潤保持增長。

為了進(jìn)一步完善功率MOSFET產(chǎn)品線，臺(tái)灣半導(dǎo)體未來的開發(fā)計(jì)劃包括：針對照明設(shè)備及電源供應(yīng)器等高能效、高性能的應(yīng)用，規(guī)劃低FOM值600V-900V的高壓產(chǎn)品;針對大電流充放電控制、過電流中斷開關(guān)，以及同步整流應(yīng)用，開發(fā)一系列低導(dǎo)通阻抗、DFN封裝、30V-80V的低壓產(chǎn)品;以及增加P通道低壓產(chǎn)品等。