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[導(dǎo)讀]互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體功率放大器(CMOS PA)與砷化鎵(GaAs)PA方案戰(zhàn)火愈演愈烈。CMOS PA正挾尺寸及成本優(yōu)勢于中低價手機(jī)市場攻城掠地,市占可望提升至15%~20%,而GaAs PA廠商為進(jìn)一步防堵對手攻勢,將全面啟動輕晶圓

互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體功率放大器(CMOS PA)與砷化鎵(GaAs)PA方案戰(zhàn)火愈演愈烈。CMOS PA正挾尺寸及成本優(yōu)勢于中低價手機(jī)市場攻城掠地,市占可望提升至15%~20%,而GaAs PA廠商為進(jìn)一步防堵對手攻勢,將全面啟動輕晶圓代工(Fab-lite)策略,以同時鞏固高階手機(jī)及中低價手機(jī)市占。

拓墣產(chǎn)業(yè)研究所半導(dǎo)體研究中心研究員許漢州表示,智慧型手機(jī)取代功能型手機(jī)的商機(jī)即將在新興市場爆發(fā),并成為未來全球智慧型手機(jī)出貨成長動力,可想而知,零組件廠商若要搶先卡位該市場,元件價格將是決定性關(guān)鍵因素。在元件低價化風(fēng)潮下,CMOS PA廠商可望挾價格及尺寸雙重優(yōu)勢于中低價手機(jī)市場大發(fā)利市,預(yù)估2016年CMOS PA市占可望提升至15%~20%。

許漢州進(jìn)一步以高通(Qualcomm)支援長程演進(jìn)計(jì)劃(LTE)的RF 360解決方案為例,其運(yùn)用封包功率追蹤(Envelope Power Tracking)技術(shù)提升CMOS PA效率,以及0.18微米(μm)CMOS絕緣層覆矽(SOI)制程優(yōu)化附加功率效率(PAE),不僅較傳統(tǒng)PA減少一半以上的占位面積,更可降低射頻(RF)耗電量高達(dá)30%的比例。

不過,CMOS PA雖具有尺寸及價格優(yōu)勢,但其效率仍較GaAs PA低,因此,講求高待機(jī)時間的高階智慧型手機(jī)仍將主要采用GaAs方案,并且GaAs PA廠商也將在GaAs PA設(shè)計(jì)中加入封包功率追蹤技術(shù),以彰顯與CMOS PA間的元件特性差異。據(jù)了解,三星(Samsung)Galaxy Note 3即已采用具備封包功率追蹤器的GaAs PA方案。

許漢州認(rèn)為,GaAs PA業(yè)者除以封包功率追蹤技術(shù)加強(qiáng)產(chǎn)品于高階手機(jī)市場滲透率外,亦將加速研發(fā)多頻多模功率放大器(MMPA)。至于中低價手機(jī)市場,GaAs PA廠商則可能同步發(fā)展CMOS PA技術(shù),并走向輕晶圓代工模式,拉近與CMOS PA價格差距。

許漢州指出,GaAs PA廠商運(yùn)用垂直分工模式,將量大且低價的市場交由專業(yè)GaAs晶圓代工廠制造,將可避免耗費(fèi)過多資本支出于晶圓廠產(chǎn)能的建置,該模式將是多數(shù)GaAs PA廠商的主要策略。臺灣GaAs晶圓代工廠商只要緊跟制程研發(fā)腳步并謹(jǐn)慎擴(kuò)產(chǎn),將在此趨勢下?lián)屨贾匾漠a(chǎn)業(yè)位置。

根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究所最新研究報(bào)告指出,2012年450美元以上智慧型手機(jī)占總出貨量達(dá)55%,但隨著新興市場帶動中低價手機(jī)出貨量快速成長,2013年其占比將僅剩47%,至2014年則僅剩四成,而300美元以下方案出貨比占則大幅成長至32%。
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