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[導(dǎo)讀]三星(Samsung)將在明年二月的國際固態(tài)電路大會(ISSCC)中,展示采用 ARM big.little 概念的移動應(yīng)用處理器。這是少數(shù)將在該會議大披露的新款微處理器,但包括英特爾(Intel)的 Haswell 和 Nvidia 的丹佛計劃(Project D

三星(Samsung)將在明年二月的國際固態(tài)電路大會(ISSCC)中,展示采用 ARM big.little 概念的移動應(yīng)用處理器。

這是少數(shù)將在該會議大披露的新款微處理器,但包括英特爾(Intel)的 Haswell 和 Nvidia 的丹佛計劃(Project Denver),都很明顯地缺席。不過,英特爾和 Nvidia 都將就新的芯片到芯片連接提出最新論文,展示他們對未來處理器的規(guī)劃。

三星將揭露具有兩個四核心叢集的 28nm SoC 詳細資料。其中一個叢集執(zhí)行在1.8GHz,具有2MB L2 快取,主要針對高性能應(yīng)用;另一款速度為1.2GHz,可用于調(diào)節(jié)能源效率。

該芯片與 ARM 所提出之采用 32位 A15 和 A7 核心的 big.little 架構(gòu)相同。今年10月時,ARM曾表示這種方法提供了比預(yù)期還要高的效益,未來將廣泛應(yīng)用在智能手機中。

Linley Group 資深分析師Kevin Krewell表示,三星將推出首款 big.little 處理器。 A7 核心應(yīng)該能處理大多數(shù)智能手機的任務(wù),而A15核心則處理需要高性能的需求,如游戲。

而其它如高通(Qualcomm)、 Nvidia 和其它預(yù)計2013年推出,將與英特爾 22nm Haswell 在平板市場競爭的處理器則并未計劃在 ISSCC 上披露。根據(jù)過去經(jīng)驗,英特爾在會議上提出的論文向來與處理器無關(guān)。

不過,這家 x86 巨擘將描述一款頻寬達1Tb的可擴展64信道芯片到芯片互連。 該鏈路使用多個2~16Gb/s信道,執(zhí)行在0.8~2.6 pJ /bit,采用32nm CMOS制程,總總線功耗為2.6W

這篇文章介紹了英特爾研究院(Intel Labs)的研究成果。英特爾實驗室資深首席工程師Bryan Casper表示,該論文描述了使用Samtec的micro-twinax線路,以及 Ardent Concepts 的連接器來連接Tb/s等級的芯片,否則功耗可能會拉升至20W。

Casper表示,直徑1到2mm的線束將是“我們在跨越移動和 服務(wù)器應(yīng)用時,向前邁進的重要技術(shù)。次pJ /bit I/O非常重要,因為這是快速開啟和關(guān)閉I/O連接的關(guān)鍵?!?BR>
Nvidia將描述一款20Gb/s的串行芯片到芯片28nm CMOS,它采用0.9V電源,電源效率0.54pJ/b。這項互連技術(shù)可能會與Nvidia的丹佛計劃整合,也可能應(yīng)用在從筆電到超級計算機等所有ARM和繪圖核心處理器系列中。

此外,中國科學(xué)院計算技術(shù)研究所(ICT)將提出新版龍芯3B處理器 (Godson 3B),該組件采用32nm。在此之前,ICT展示過八核心65nm CPU,并建議直接跨越到32nm。

ISSCC上,工程師將詳細介紹Godson-3B1500,這是一款32nm high-K金屬閘極組件,在1.35 GHz、40W條件下可提供172.8 GFLOPS性能。在同等功耗條件下,新處理器性能較65nm版本的128 Gflops有顯著提升,這主要歸功于新制、架構(gòu)和電路的改良。

在其它論文中,德州儀器(TI)和麻省理工學(xué)院(MIT)將提出一款200MHz的影像譯碼器,可符合高效影像編碼標(biāo)準(zhǔn),提供每秒249M畫素性能。它支持3,840 × 2,160畫素分辨率,在0.9V時耗電76mW。

瑞薩(Renesas)將描述一款整合手機芯片,其中包含28nm雙核心1.5GHz CPU、 LTE/HSPA 基頻調(diào)制解調(diào)器處理器、繪圖加速器和電源管理單元。 AMD, IBM和甲骨文(Oracle)則將分別就其 Jaguar, zSeries 和 Sparc T5 發(fā)表論文。

編譯: Joy Teng
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