ARM總裁：Intel移動(dòng)IC生產(chǎn)工藝技術(shù)不占優(yōu)勢(shì)
[導(dǎo)讀]2012年10月24日：ARM總裁Warren East表示，“英特爾公司在移動(dòng)IC的生產(chǎn)工藝上不占優(yōu)勢(shì)?！薄叭ツ赀@個(gè)時(shí)候英特爾陣營(yíng)為他們的制造優(yōu)勢(shì)做出很多噱頭，”East說(shuō)，“我們一直對(duì)此表示懷疑，因?yàn)锳RM企業(yè)系統(tǒng)正研發(fā)28nm制程
2012年10月24日：ARM總裁Warren East表示，“英特爾公司在移動(dòng)IC的生產(chǎn)工藝上不占優(yōu)勢(shì)?！?BR>
“去年這個(gè)時(shí)候英特爾陣營(yíng)為他們的制造優(yōu)勢(shì)做出很多噱頭，”East說(shuō)，“我們一直對(duì)此表示懷疑，因?yàn)锳RM企業(yè)系統(tǒng)正研發(fā)28nm制程，而英特爾才進(jìn)行32nm制程的開(kāi)發(fā),我沒(méi)看到他們哪里更領(lǐng)先?！?BR>
此外，隨著Foundries開(kāi)發(fā)周期的縮短，開(kāi)發(fā)速度的加快，英特爾將會(huì)發(fā)現(xiàn)移動(dòng)工藝技術(shù)的發(fā)展將會(huì)超出他們的預(yù)料。
“我們支持所有的獨(dú)立研發(fā)，”East說(shuō)道，“包括TSMC20nm planarbulk CMOS和16nm FinFET，三星20nm planarbulk CMOS、14nm Fin FET和20nm planarbulkCMOS,以及Global Foundries 20nm FD-SOI和14nm Fin FET。”
它使得ARM生態(tài)系統(tǒng)有一個(gè)龐大的工藝群可以選擇。“我沒(méi)有更好的方法判斷哪個(gè)工藝比其他工藝更成功，”East說(shuō)，“我們的方法與工藝無(wú)關(guān)?！?BR>
重要的是，F(xiàn)oundries的工藝與英特爾的方向在14nm制程相交軌。
14nm將是英特爾在更小節(jié)點(diǎn)的移動(dòng)SOC的首要目標(biāo)，他們或許會(huì)將之放到某個(gè)首次發(fā)布的新工藝IC中。
當(dāng)問(wèn)及Foundries是否準(zhǔn)備推出下一代更小節(jié)點(diǎn)移動(dòng)SOC，East回復(fù)說(shuō)，”這也是我們想要從Foundries那知道的信息?！?BR>
Global Foundries打算在2014年批量制造14nm Fin FET，與英特爾開(kāi)始生產(chǎn)14nm FinFET的計(jì)劃處于同一時(shí)間。
事實(shí)上，GF的14nm工藝可能比英特爾的更小，Global Foundries的高級(jí)副總裁MojyChian說(shuō)：“因?yàn)橛⑻貭柕男g(shù)語(yǔ)庫(kù)與開(kāi)發(fā)界使用的術(shù)語(yǔ)庫(kù)不匹配。比如，在back-endmetallisation方面英特爾的22nm制程與開(kāi)發(fā)界的28nm制程，英特爾22nm制程的設(shè)計(jì)規(guī)則和間距與代工廠的28nm制程的差異。
意法半導(dǎo)體公司的技術(shù)總監(jiān)Jean-Marc Chery指出，英特爾22nm制程的柵極長(zhǎng)度實(shí)際是26nm。
此外，英特爾三角形散熱片不具Fin FET工藝優(yōu)勢(shì)，落后于能優(yōu)化FinFET晶體管的GF矩形散熱片。
Chian說(shuō)，移動(dòng)SOC將放于在GF14NM FinFET節(jié)點(diǎn)的前面。自2009年以來(lái)GF一直與ARM合作優(yōu)化其基于ARM的SOC工藝。
TSMC預(yù)計(jì)于明年底推出第一個(gè)16nm Fin FET工藝。該測(cè)試芯片將使用ARM64位V8處理器。
使用ARM處理器驗(yàn)證其16nm Fin FET工藝將給予TSMC基于ARM的SOC客戶群極大信心。
當(dāng)問(wèn)及FinFET如何影響基于ARM的SOC時(shí)，East回答：“答案非常簡(jiǎn)單。問(wèn)題是它是否在可接受成本范圍內(nèi)產(chǎn)生收益？你不能勞而不獲。它的制造成本是多少？有多大產(chǎn)出呢？顯而易見(jiàn)，這些都影響成本?！?BR>
當(dāng)問(wèn)及ARM推進(jìn)服務(wù)器市場(chǎng)的進(jìn)展?fàn)顩r時(shí)，East回復(fù)：“目前為止，進(jìn)展良好。你現(xiàn)在可以購(gòu)買(mǎi)使用了Calxeda芯片（基于ARM內(nèi)核）的波士頓貽貝服務(wù)器。我們對(duì)這款產(chǎn)品非常看好。在計(jì)算機(jī)性能的穩(wěn)定水平上，節(jié)能和節(jié)省空間的數(shù)據(jù)出人意料。”
“目前，服務(wù)器基于專為智能手機(jī)設(shè)計(jì)的CortexA9構(gòu)架，”East補(bǔ)充道：“將應(yīng)用A15的服務(wù)器會(huì)更勝一籌，我們?yōu)樗l(fā)生的一切感到非常高興?！?BR>
當(dāng)問(wèn)及上周五的大事件（即使用ARM構(gòu)架處理器的Windows8將ARM版Windows筆記本電腦和平板電腦推出入店）時(shí)，East回答說(shuō)：“這不會(huì)引起任何大的驚喜--它只是出現(xiàn)了而已?！?BR>
在第三季度閃亮出場(chǎng)獲得營(yíng)收增長(zhǎng)18％和盈利增長(zhǎng)22％的成就后，ARM期望看到第四季度也有驕人市場(chǎng)業(yè)績(jī)。
“去年這個(gè)時(shí)候英特爾陣營(yíng)為他們的制造優(yōu)勢(shì)做出很多噱頭，”East說(shuō)，“我們一直對(duì)此表示懷疑，因?yàn)锳RM企業(yè)系統(tǒng)正研發(fā)28nm制程，而英特爾才進(jìn)行32nm制程的開(kāi)發(fā),我沒(méi)看到他們哪里更領(lǐng)先?！?BR>
此外，隨著Foundries開(kāi)發(fā)周期的縮短，開(kāi)發(fā)速度的加快，英特爾將會(huì)發(fā)現(xiàn)移動(dòng)工藝技術(shù)的發(fā)展將會(huì)超出他們的預(yù)料。
“我們支持所有的獨(dú)立研發(fā)，”East說(shuō)道，“包括TSMC20nm planarbulk CMOS和16nm FinFET，三星20nm planarbulk CMOS、14nm Fin FET和20nm planarbulkCMOS,以及Global Foundries 20nm FD-SOI和14nm Fin FET。”
它使得ARM生態(tài)系統(tǒng)有一個(gè)龐大的工藝群可以選擇。“我沒(méi)有更好的方法判斷哪個(gè)工藝比其他工藝更成功，”East說(shuō)，“我們的方法與工藝無(wú)關(guān)?！?BR>
重要的是，F(xiàn)oundries的工藝與英特爾的方向在14nm制程相交軌。
14nm將是英特爾在更小節(jié)點(diǎn)的移動(dòng)SOC的首要目標(biāo)，他們或許會(huì)將之放到某個(gè)首次發(fā)布的新工藝IC中。
當(dāng)問(wèn)及Foundries是否準(zhǔn)備推出下一代更小節(jié)點(diǎn)移動(dòng)SOC，East回復(fù)說(shuō)，”這也是我們想要從Foundries那知道的信息?！?BR>
Global Foundries打算在2014年批量制造14nm Fin FET，與英特爾開(kāi)始生產(chǎn)14nm FinFET的計(jì)劃處于同一時(shí)間。
事實(shí)上，GF的14nm工藝可能比英特爾的更小，Global Foundries的高級(jí)副總裁MojyChian說(shuō)：“因?yàn)橛⑻貭柕男g(shù)語(yǔ)庫(kù)與開(kāi)發(fā)界使用的術(shù)語(yǔ)庫(kù)不匹配。比如，在back-endmetallisation方面英特爾的22nm制程與開(kāi)發(fā)界的28nm制程，英特爾22nm制程的設(shè)計(jì)規(guī)則和間距與代工廠的28nm制程的差異。
意法半導(dǎo)體公司的技術(shù)總監(jiān)Jean-Marc Chery指出，英特爾22nm制程的柵極長(zhǎng)度實(shí)際是26nm。
此外，英特爾三角形散熱片不具Fin FET工藝優(yōu)勢(shì)，落后于能優(yōu)化FinFET晶體管的GF矩形散熱片。
Chian說(shuō)，移動(dòng)SOC將放于在GF14NM FinFET節(jié)點(diǎn)的前面。自2009年以來(lái)GF一直與ARM合作優(yōu)化其基于ARM的SOC工藝。
TSMC預(yù)計(jì)于明年底推出第一個(gè)16nm Fin FET工藝。該測(cè)試芯片將使用ARM64位V8處理器。
使用ARM處理器驗(yàn)證其16nm Fin FET工藝將給予TSMC基于ARM的SOC客戶群極大信心。
當(dāng)問(wèn)及FinFET如何影響基于ARM的SOC時(shí)，East回答：“答案非常簡(jiǎn)單。問(wèn)題是它是否在可接受成本范圍內(nèi)產(chǎn)生收益？你不能勞而不獲。它的制造成本是多少？有多大產(chǎn)出呢？顯而易見(jiàn)，這些都影響成本?！?BR>
當(dāng)問(wèn)及ARM推進(jìn)服務(wù)器市場(chǎng)的進(jìn)展?fàn)顩r時(shí)，East回復(fù)：“目前為止，進(jìn)展良好。你現(xiàn)在可以購(gòu)買(mǎi)使用了Calxeda芯片（基于ARM內(nèi)核）的波士頓貽貝服務(wù)器。我們對(duì)這款產(chǎn)品非常看好。在計(jì)算機(jī)性能的穩(wěn)定水平上，節(jié)能和節(jié)省空間的數(shù)據(jù)出人意料。”
“目前，服務(wù)器基于專為智能手機(jī)設(shè)計(jì)的CortexA9構(gòu)架，”East補(bǔ)充道：“將應(yīng)用A15的服務(wù)器會(huì)更勝一籌，我們?yōu)樗l(fā)生的一切感到非常高興?！?BR>
當(dāng)問(wèn)及上周五的大事件（即使用ARM構(gòu)架處理器的Windows8將ARM版Windows筆記本電腦和平板電腦推出入店）時(shí)，East回答說(shuō)：“這不會(huì)引起任何大的驚喜--它只是出現(xiàn)了而已?！?BR>
在第三季度閃亮出場(chǎng)獲得營(yíng)收增長(zhǎng)18％和盈利增長(zhǎng)22％的成就后，ARM期望看到第四季度也有驕人市場(chǎng)業(yè)績(jī)。
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