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[導讀]在一個溫暖、陽光明媚的日子,聯(lián)電(UMC)砸下2,400億興建的南科 Fab 12A 新廠正式動土。據(jù)表示,新廠完工時每月產(chǎn)能將達五萬片 300mm 晶圓,最初將采用 28nm 制程,隨后將轉移到 20nm 和 14nm 制程。該公司預計2013下

在一個溫暖、陽光明媚的日子,聯(lián)電(UMC)砸下2,400億興建的南科 Fab 12A 新廠正式動土。據(jù)表示,新廠完工時每月產(chǎn)能將達五萬片 300mm 晶圓,最初將采用 28nm 制程,隨后將轉移到 20nm 和 14nm 制程。該公司預計2013下半年開始裝機。

聯(lián)電南科廠動土,2013下半年裝機

該廠將包含53,000mm2M的無塵室──該面積足夠容納十座足球場。這座新廠將座落在聯(lián)電現(xiàn)有的高階晶圓廠旁,目前這座晶圓廠已開始量產(chǎn)28nm Poly SiON制程,并已出貨了數(shù)千片使用該制程的晶圓樣品。聯(lián)電CEO 孫世偉預估,今年底28nm技術將占其總銷售額的5%。

IC Insights 總裁Bill McClean表示,聯(lián)電下一季銷售預估可上升15%,這個成長幅度相當引人矚目,但仍然低于其競爭對手臺積電(TSMC)預估的20%銷售額成長。

聯(lián)電南科廠動土,2013下半年裝機

包括三百多家供貨商、合作伙伴,以及臺灣政府官員,都希望臺灣最重要的晶圓制造業(yè)務能持續(xù)成長。

盡管像Nvidia和高通(Qualcomm)等公司非??是?8nm制程,但由于這些公司需要最新的制造技術,因此,他們目前仍然是競爭對手臺積電手中的客戶。目前尚不清楚聯(lián)電的Poly制程是否量產(chǎn),或是他們寧愿選擇今年底前才會試產(chǎn)的high-k金屬閘極版本。

聯(lián)電南科廠動土,2013下半年裝機

去年底,聯(lián)電被 GlobalFoundries 小幅超越,失去晶圓代工第二名的位置。像McClean這類市場觀察家則指出,聯(lián)電最終將下滑到第四名。

“臺積電仍是龍頭,而 GlobalFoundries 和三星(Samsung)則將爭奪第二的位置,”McClean說?!伴L遠來看,聯(lián)電會發(fā)現(xiàn)愈來愈難在技術上維持領先,”他表示。

聯(lián)電南科廠動土,2013下半年裝機

然而,孫世偉和聯(lián)電有著自己的立場,這家公司不會試著擊敗臺積電,而是專注于緊密的客戶服務。

孫世偉對于被McClean這類分析師貼上“快速跟隨者”(fast follower)的卷標不予置評?!斑@個產(chǎn)業(yè)中每個人都是跟隨者,我們都跟隨著英特爾的技術和生產(chǎn)能力,”他表示。

聯(lián)電仍擁有超過其最新廠房面積的土地,有朝一日,它可以在需要時建造更大型的晶圓廠。但問題在于,這家公司是否具備建廠所需的數(shù)十億美元。

聯(lián)電目前的財務狀況看起來還不錯。孫世偉表示,該公司的負債/權益比為20%,如果需要更多資源,還可以提高到30%。此外,聯(lián)電最近也表示正在研究一個高達6億美元的私募股權投資案。

聯(lián)電還必須解決許多問題。這家公司必須證明他能量產(chǎn)迄今僅提供測試芯片的20nm制程、開發(fā)14nm制程,包括FinFET在內(nèi),而且必須加快2.5D和 3D芯片的開發(fā)腳步。另外,該公司也同樣面對轉移到450nm晶圓以及超紫外光(EUV)微影技術的挑戰(zhàn),二者都意味著更龐大的投資。

目前,聯(lián)華缺乏像臺積電般的產(chǎn)量、像GlobalFoundries的阿布達比金錢支援,以及像Samsung和IBM等共同開發(fā)共享平臺的合作伙伴支持。

另外,臺灣法規(guī)也限制了聯(lián)電的發(fā)展。根據(jù)法令,公司的外國股權不能超過10%。這家公司也面臨著與中國合作關系的限制。

因此,聯(lián)電必須尋找能夠解決技術、商業(yè)和政策面問題的方法,才能讓未來的發(fā)展道路更加清晰。而就在動土當天,陽光如此明媚、溫暖,看起來,似乎也代表了今年應該是個好年頭的預兆。

編譯: Joy Teng

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