GLOBALFOUNDRIES日前宣布，在為新一代移動和消費電子應用實現(xiàn)3D芯片堆疊的道路上，公司達到了一個重要的里程碑。在其位于美國紐約薩拉托加郡的Fab 8，GLOBALFOUNDRIES已開始安裝一套可在尖端20納米技術(shù)平臺上的半導體晶圓中構(gòu)建硅通孔(TSV)的特殊生產(chǎn)工具。此舉將使客戶能夠?qū)崿F(xiàn)多個芯片的堆疊，從而為滿足未來電子設(shè)備的高端要求提供了一條新的渠道。
TSV，即在硅中刻蝕豎直孔徑，并以銅填充，從而在垂直堆疊的集成電路之間實現(xiàn)導通。例如，該技術(shù)允許電路設(shè)計人員將存儲器芯片堆疊于應用處理器之上，在實現(xiàn)存儲器帶寬大幅提高的同時降低功耗，從而解決了智能手機和平板電腦等新一代移動設(shè)備設(shè)計中的這一重大難題。

在尖端工藝節(jié)點上采用集成電路3D堆疊技術(shù)如今已日益被視為傳統(tǒng)的在晶體管級上采用技術(shù)節(jié)點進行等比例縮小的替代方案。然而，隨著新的封裝技術(shù)的出現(xiàn)，芯片與封裝交互的復雜性顯著提高，晶圓代工廠及其合作伙伴越來越難以提供“端到端”的解決方案來滿足眾多尖端設(shè)計的要求。

GLOBALFOUNDRIES首席技術(shù)官Gregg Bartlett表示：“為了幫助解決上述在新的硅工藝節(jié)點上的挑戰(zhàn)，我們很早就已開始與合作伙伴共同開發(fā)能夠支持半導體行業(yè)下一波創(chuàng)新的封裝解決方案。通過采用廣泛合作的方法，我們能夠給予客戶最大的選擇權(quán)和靈活性，同時致力于節(jié)省成本、加快量產(chǎn)時間，并降低新技術(shù)開發(fā)的相關(guān)技術(shù)風險。在Fab 8中安裝20nm技術(shù)的TSV工具將令GLOBALFOUNDRIES新增一個重要能力，從設(shè)計到組裝和測試，今后我們在與半導體生態(tài)系統(tǒng)中的眾多公司在研發(fā)與制造上的合作都將因此受益?！?

GLOBALFOUNDRIES最新的Fab 8既是世界上技術(shù)最先進的晶圓代工廠之一，也是美國規(guī)模最大的尖端半導體代工廠。該工廠專注于32/28nm及更小尺寸的尖端制造，20nm技術(shù)研發(fā)正在順利進行中。采用TSV的首顆全流芯片預計將于2012年第三季度在Fab 8開始生產(chǎn)。