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[導(dǎo)讀]力旺電子(eMemory)日前宣布,其單次可程序(one time programmable, OTP)內(nèi)存技術(shù)已于一線晶圓代工廠65納米制程平臺(tái)通過可靠度驗(yàn)證,進(jìn)入量產(chǎn)階段;另外,多次可程序(multiple times programmable, MTP)內(nèi)存技術(shù)則同步

力旺電子(eMemory)日前宣布,其單次可程序(one time programmable, OTP)內(nèi)存技術(shù)已于一線晶圓代工廠65納米制程平臺(tái)通過可靠度驗(yàn)證,進(jìn)入量產(chǎn)階段;另外,多次可程序(multiple times programmable, MTP)內(nèi)存技術(shù)則同步于65納米制程平臺(tái)進(jìn)行驗(yàn)證中,將可應(yīng)用于對嵌入式儲(chǔ)存組件規(guī)格要求日益嚴(yán)苛之高階多媒體與數(shù)字消費(fèi)性電子產(chǎn)品,如智能手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)與數(shù)字電視機(jī)上盒等。

力旺表示,其單次可程序產(chǎn)品 NeoBit 與多次可程序的 NeoFlash, NeoEE 等,均正朝更先進(jìn)制程轉(zhuǎn)移。該公司的65納米 NeoBit OTP 日前已通過可靠度驗(yàn)證,即將進(jìn)入量產(chǎn),而針對下一世代55納米與更先進(jìn)制程平臺(tái),力旺電子亦全力積極布局,目前已與數(shù)家國際級(jí)晶圓代工廠合作開發(fā)中,預(yù)計(jì)55納米高電壓制程之NeoBit將可于2012年Q2通過驗(yàn)證,進(jìn)入試產(chǎn)階段。

根據(jù)iSupply報(bào)告顯示,預(yù)估2010~2015年間,智能手機(jī)和多媒體平板計(jì)算機(jī)出貨量,將分別以28.5%和72.1%的年復(fù)合成長率攀升,看好未來高階多媒體與數(shù)字消費(fèi)性電子發(fā)展?jié)摿?,力旺表示,該公司每年持續(xù)投入超過30%之營業(yè)費(fèi)用于研發(fā)創(chuàng)新技術(shù),發(fā)展先進(jìn)嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存硅智財(cái),先前80納米高壓制程之NeoBit OTP已進(jìn)入量產(chǎn),并對權(quán)利金收益有所挹注。

力旺電子嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存之主要功能為儲(chǔ)存參數(shù)設(shè)定與身分識(shí)別密碼,以近期熱門之?dāng)?shù)字電視機(jī)上盒與NFC相關(guān)應(yīng)用為例,力旺電子之嵌入式EEPROM NeoEE即可作為協(xié)助儲(chǔ)存密碼、金額或身分識(shí)別數(shù)據(jù)使用,目前前項(xiàng)提及之相關(guān)產(chǎn)品以65納米與40納米制程為主力,而力旺電子相關(guān)技術(shù)亦同步開發(fā)中。近期65納米之NeoEE進(jìn)行驗(yàn)證測試獲得98%以上之優(yōu)異良率,預(yù)期2012年起即可對營收產(chǎn)生正面貢獻(xiàn)。

力旺電子的嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存技術(shù)包含單次可程序OTP NeoBit與多次可程序MTP NeoFlash、NeoEE等硅智財(cái),由于架構(gòu)簡單,與邏輯制程完全兼容,不論建構(gòu)于現(xiàn)有制程,或嵌入使用于客戶端之產(chǎn)品,均可在不修改制程的前提下,直接進(jìn)行設(shè)計(jì)。

目前力旺電子嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存技術(shù)已廣泛建置于0.5微米至0.11微米等各類型邏輯與衍生制程,加上近期于晶圓代工廠之先進(jìn)制程布局,將可提供尖端設(shè)計(jì)客戶具備完善質(zhì)量與高可靠度之全方位嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存解決方案。目前力旺電子擁有超過250件專利,全球Fabless客戶數(shù)已突破310家,累計(jì)至2011年12月,內(nèi)嵌力旺電子硅智財(cái)之量產(chǎn)八吋晶圓片數(shù)已超過340萬片。
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