晶片微小化要幾奈米才夠看?英特爾今年量產22奈米元件，臺積電三年內轉進14奈米世代，而國研院國家奈米元件實驗室于今(6)日更發(fā)表，導入銀、鍺兩種新元件材料，內建矽基太陽能電池元件，做為未來綠能的10奈米元件世代的重要技術選項，引發(fā)國際轟動。

英特爾已發(fā)表22奈米元件并在今年進入量產，領先各公司約一個世代，臺積電也將在稍后跟進，未來兩三年內亦將陸續(xù)轉進14奈米世代。相較于矽，純鍺材料的電晶體運行速度可提升2至4倍，國研院新發(fā)表的三角型鍺鰭式電晶體技術，成功克服了矽基材上的鍺通道，會有許多缺陷的問題，因此可實現(xiàn)高速的10奈米電晶體元件。

「銀金屬直立導線技術」則以創(chuàng)意，研發(fā)出利用底部成長(bottom-up)方式、突破傳統(tǒng)鎢金屬栓塞結構，在尺寸微縮時的制程瓶頸。國研院在美國華盛頓舉行的電子元件領域里最重要的國際會議IEDM中，發(fā)表4篇相關論文，包括導入銀、鍺兩種新元件材料、并將被動的元件節(jié)能科技提升為主動的自供電力線路模組的內建矽基太陽能電池元件。

其中鍺電晶體和矽基太陽能自供電力線路模組，均被大會選為重點宣傳論文，引起國際微電子產學研界的高度重視，將是未來10奈米元件世代的重要技術選項。

國研院解釋說，因為銀是目前電阻值最低的金屬(銀的電阻率僅約鎢30%)，以此技術，將可符合10奈米世代的金屬導線制程需求。

不過新機臺和新材料，將會是未來10奈米元件世代，最難克服的兩大關鍵，國研院強調，高階整合性機臺，例如微影設備(EUV)單價，就高達30億臺幣，機臺技術門檻甚高，而且需有大型實驗室做先期產品的測試，才能進入此千億產值的材料市場，導入銀、鍺兩種新元件材料，內建矽基太陽能電池元件，國研院表示，可做為未來綠能的10奈米元件世代的重要技術選項。