意法半導體新推出四款獲得QML V官方認證的放大器晶片 RHF484, RHF310, RHF330, RHF350。新的抗輻射類比元件強化了抗輻射性能，在已發(fā)現的惡劣太空環(huán)境中能夠正常運作，確保設備具有更長的耐用性。

意法半導體的抗輻射類比晶片均采用BICMOS制程，擁有極低的功耗。在法國國家太空研究中心(Centre National d’Etudes Spatiales、CNES)的大力支持下，這些元件通過測試后直接進入歐洲產品目錄(EPPL) 。

新產品包括四款晶片： RHF484, RHF310, RHF330, RHF350 。 RHF484是由4個RHF43B組成的4路運算放大器，可替代工業(yè)標準運算放大器晶片，采用Flat-14W封裝，2011年通過QML V認證。

RHF310和RHF330是超低功耗5V運算放大器，是各種訊號調節(jié)應用的理想選擇。120MHz和1.0GHz兩個型號已取得QML V證書。另一款產品550 MHz RHF350預計于2011年第四季通過認證。

意法半導體以300 krad(Si)的標準抗離子化輻射能力(總離子化劑量測試，簡稱TID)，包括抗低速率輻射測試，而成為航太工業(yè)的半導體元件抗輻射參考標準。無強化型低劑量速率敏感效應(ELDRS-free)晶片讓意法半導體成為首家獲得抗輻射保證(RHA)認證的半導體供應商。

透過推出無單一事件鎖定(Single Event Latch-up，SEL)效應和單一事件錯誤中斷測試(Single Event False Interrupt，SEFI)效應的元件，意法半導體擁有市場上最高的抗離子化輻射能力，將防止重離子引起燒傷的抗輻射技術提高至新一層級。在這些新產品中，意法半導體引領市場的先進技術還包括單一事件瞬態(tài)(Single Event Transients，SET)保護功能。單一事件瞬態(tài)現象是重離子引起的瞬間錯誤，是航太類比元件必須克服的一大挑戰(zhàn)。

意法半導體的航太領域類比元件在設計方面特別關注單一事件瞬態(tài)效應，并經過了全面的特征化分析，擁有瞬間錯誤脈沖的低振幅，時間短的特性。