外界一直認為東芝(Toshiba)會從2011年第3季啟動18吋晶圓開發(fā)計畫，但這項計畫很有可能延期。老早表明要全速進軍18吋晶圓技術(shù)的三星電子(SamsungElectronics)，在整體業(yè)績表現(xiàn)不佳的狀況下，態(tài)度亦轉(zhuǎn)為慎重。

半導體晶圓直徑從2吋一路演進到現(xiàn)行最大的12吋，未來18吋晶圓投產(chǎn)后，1片18吋晶圓產(chǎn)出的晶片數(shù)，將是12吋晶圓的2倍；換言之，晶圓尺寸越大，越有助于降低積體電路的制造成本。

因此臺積電、英特爾(Intel)及三星等3家半導體巨頭，從2003年起就開始發(fā)展大尺寸晶圓，企圖擠下資金不夠雄厚的業(yè)者。2008年3家公司發(fā)表共同聲明，說2012年將是半導體產(chǎn)業(yè)進入18吋晶圓制造的適當時機。

東芝向來以微細化制造技術(shù)見長，對大尺寸晶圓始終采取保留態(tài)度，但NANDFlash領(lǐng)域的頭號勁敵三星，在發(fā)表進軍18吋晶圓技術(shù)之后，東芝迫于情勢只好跟進。業(yè)界猜測東芝2011年第3季將開始會有具體動作。

然面對2011年連續(xù)2季虧損，三星改以減少產(chǎn)能及資本支出因應。東芝見三星縮手，開始思考18吋晶圓產(chǎn)線的必要性，傾向省下投產(chǎn)經(jīng)費，專注于細微化制程的研發(fā)。

事實上，以18吋晶圓投產(chǎn)能夠降低的?言說A遠超過新世代制程。曝光設(shè)備現(xiàn)正面臨20奈米世代的瓶頸，極紫外光(ExtremeUltraviolet；EUV)技術(shù)成為眾所期待的新星。EUV是下一代半導體光刻技術(shù)，目前已經(jīng)有多家企業(yè)引進EUV微縮制程機臺，但購置機臺費用相當高昂，而且效率不佳。業(yè)界人士表示，如果細微化制程走到死胡同，大尺寸晶圓就是廠商唯一的選擇，這樣看來18吋晶圓的量產(chǎn)時期訂為2015年絕對不算太早。

然而發(fā)展18吋晶圓，就代表設(shè)備商必須大手筆投資研發(fā)，花費最多將達到1,000=美元，負擔十分沉重。

2011年1月，臺機電宣布啟動18吋晶圓廠投資計畫，預計2013年導入試產(chǎn)線，2015年以20奈米開始量產(chǎn)。英特爾正在興建18吋廠，地點屬意該公司先進制程的發(fā)源地美國奧勒岡州，預定2013年完成，看來要達成2012年開始量產(chǎn)的目標，已經(jīng)是不可能的任務，如果三星和東芝再抽腿，半導體業(yè)界邁進18吋晶圓的速度將更為緩慢。