臺灣晶圓代工巨頭臺積電的一名高管表示，目前臺積電對28納米(nm)工藝的IC設(shè)計極為重視，投入是之前40納米工藝準(zhǔn)備期同階段產(chǎn)品數(shù)量的三倍多。

“智能手機(jī)與平板電腦是新的殺手級應(yīng)用，”臺積電歐洲區(qū)總裁Maria Marced表示，“我們預(yù)見到了28納米工藝設(shè)計爆發(fā)的局面，目前我們有89款28nm產(chǎn)品已經(jīng)或即將流片?！彼f，臺積電占有全世界90%的28nm產(chǎn)品方案。

Marced還表示，臺積電目前已經(jīng)開始向部分客戶出貨28nm硅片?！耙苿踊ヂ?lián)網(wǎng)在同樣性能的前提下，要求更低的功耗?！迸_積電(臺灣新竹)在28nm工藝上正在提供高k金屬柵極工藝(HKMG)和傳統(tǒng)的多晶硅工藝，而下一代20nm產(chǎn)品預(yù)計在2012年下半年就會量產(chǎn)?！?BR>
但是，臺積電至少要等到14納米節(jié)點(diǎn)才會采用FinFET技術(shù)。據(jù)說該技術(shù)對于移動應(yīng)用非常有利。這與英特爾相反。英特爾最近宣布把FinFET用于其1270制程(22納米)。1270制程已開始進(jìn)行生產(chǎn)，而今年下半年晚些時候，位于亞利桑那的F32工廠將開始量產(chǎn)。英特爾把FinFET稱為三柵技術(shù)。

這將使英特爾在工藝尺寸方面領(lǐng)先臺積電一年左右，而在采用FinFET工藝方面則領(lǐng)先更長時間。據(jù)說FinFET在這些更小的節(jié)點(diǎn)上，可以提供比平面晶體管更好的功耗性能。

Maria Marced表示，英特爾是一家垂直整合型企業(yè)，控制了設(shè)計、制造和測試的所有環(huán)節(jié)，因此能夠比臺積電更快地采用FinFET技術(shù)?！拔覀冃枰却鼺inFET的生態(tài)系統(tǒng)建立，其中包括設(shè)計工具、知識產(chǎn)權(quán)、設(shè)計套件等等。對于我們來說，20nm仍會是平面晶體管?！?BR>
Marced認(rèn)為，智能手機(jī)/平板電腦殺手級應(yīng)用方面的設(shè)計數(shù)量激增，是臺積電2011年增長速度將超過整體代工產(chǎn)業(yè)的原因之一。臺積電計劃2011年實現(xiàn)營收增長20%，但預(yù)計整體產(chǎn)業(yè)增長15%。同時，臺積電認(rèn)為整體半導(dǎo)體市場將僅增長2%。