CNET科技資訊網(wǎng) 5月16日 國(guó)際報(bào)道 英特爾正在開發(fā)一款采用3D晶體管技術(shù)的凌動(dòng)芯片架構(gòu)。英特爾在加速節(jié)能芯片的開發(fā)進(jìn)程，以進(jìn)入智能手機(jī)和平板電腦芯片市場(chǎng)。
消息人士透露，代號(hào)為Silvermont的新款凌動(dòng)芯片將于2013年發(fā)售。采用3D晶體管技術(shù)的Silvermont在整合度、性能和效能比方面將達(dá)到一個(gè)全新的水平。
與未來(lái)所有的凌動(dòng)芯片一樣，Silvermont也采用片上系統(tǒng)設(shè)計(jì)。凌動(dòng)芯片的發(fā)展速度快于摩爾定律。目前的凌動(dòng)芯片采用45納米工藝，今年晚些時(shí)候?qū)⑸?jí)到32納米。
上述消息人士稱，盡管細(xì)節(jié)還不清楚，Silvermont旨在利用22納米工藝和3D晶體管技術(shù)。預(yù)計(jì)英特爾將在本周的分析師會(huì)議上披露更多的凌動(dòng)片上系統(tǒng)開發(fā)計(jì)劃。