分析：450mm，EUV，TSV都將延遲
現(xiàn)在不用再期待了，根據(jù)IC insights公司的數(shù)據(jù)，看起來(lái)兩個(gè)兩個(gè)正在顯現(xiàn)的重要的IC制造技術(shù)都將延遲，包括450mm晶圓和遠(yuǎn)紫外（EUV）光刻技術(shù)。
根據(jù)分析，450mm晶圓廠(chǎng)量產(chǎn)可能要比預(yù)期的時(shí)間晚兩年，要等到2015年或2016年。而EUV將會(huì)錯(cuò)過(guò)16nm節(jié)點(diǎn)，因此要等到2015年的13nm節(jié)點(diǎn)才能引入。
另一個(gè)技術(shù)，基于硅穿孔（TSV）的3D器件還處于萌芽期并“過(guò)高估計(jì)”了，IC insight分析師Trevor Yancey表示。對(duì)于TSV的3D器件的吹噓太多了，但在基板、測(cè)試和成本方面，還有很多問(wèn)題需要解決。
一些人認(rèn)為T(mén)SV要進(jìn)入主流應(yīng)用還需要更長(zhǎng)的時(shí)間。換句話(huà)來(lái)說(shuō)，能幫助延續(xù)摩爾定律的三個(gè)技術(shù)——450mm，EUV和TSV——目前還是談?wù)摱嘤趯?shí)際。
450mm技術(shù)轉(zhuǎn)移的延遲并不奇怪。IC insights公司主席Bill McClean在一個(gè)活動(dòng)上表示：“經(jīng)濟(jì)不景氣讓450mm技術(shù)變得無(wú)關(guān)緊要?！?/FONT>
根據(jù)報(bào)道，英特爾，臺(tái)積電和三星正在分別推進(jìn)45mm“原型”工廠(chǎng)在2012年的到來(lái)。這幾家公司在尋找在32nm節(jié)點(diǎn)上的45mm“演示”工具和22nm上的“導(dǎo)入工具”。有人認(rèn)為450mm工廠(chǎng)不會(huì)出現(xiàn)，他們認(rèn)為研發(fā)費(fèi)用太高了。沒(méi)有人清楚誰(shuí)會(huì)為工具和研發(fā)費(fèi)用買(mǎi)單。
在前不久的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)策略座談會(huì)（ISS）上，有謠言說(shuō)450mm技術(shù)已經(jīng)延遲了，據(jù)說(shuō)要等到15nm節(jié)點(diǎn)才會(huì)有導(dǎo)入工具。有人推測(cè)，經(jīng)濟(jì)衰退，加上工具供應(yīng)商的支持不足，是導(dǎo)致延遲的原因之一。
450mm量產(chǎn)工廠(chǎng)不會(huì)再2014年之前出現(xiàn)，Yancey表示。他認(rèn)為450mm更可能出現(xiàn)的時(shí)間是“2015年或2016年”。
Yancey同時(shí)相信量產(chǎn)工廠(chǎng)采用EUV也將遲于新的目標(biāo)日期，預(yù)期是2013年的16nm邏輯節(jié)點(diǎn)。有可能EUV會(huì)支持第二代的16nm器件，但“看起來(lái)這也不會(huì)發(fā)生”，他說(shuō)道。
更有可能的情況是EUV在2015年的13nm邏輯節(jié)點(diǎn)上進(jìn)入量產(chǎn)工廠(chǎng)，他表示?；谙惹暗目紤]，還有功率源、光刻膠和掩膜等問(wèn)題需要解決。
英特爾和Sematech公司的警告日前再一次響起。芯片制造協(xié)會(huì)日前警告資金短缺和掩膜檢測(cè)問(wèn)題將影響EUV光刻的實(shí)施。三星也發(fā)出了這樣的警告
下載文檔
