作為新起之秀，西安明科微電子材料有限公司與西北工業(yè)大學合作開發(fā)了鋁瓷（AlSiC – 鋁基碳化硅顆粒復合材料）而西安明科公司（Xi’an Miqam Microelectronics Materials Co., Ltd）是目前中國區(qū)唯一具備獨立知識產(chǎn)權(quán)并可產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)這種封裝材料的廠家。

鋁碳化硅（AlSiC）金屬基熱管理復合材料，俗稱鋁瓷，是功率電子器件專用封裝材料，通過將鋁合金滲入高體積分數(shù)的碳化硅多孔陶瓷預制型，復合成為低密度、高導熱率和低膨脹系數(shù)的封裝材料，以解決電子電路的熱失效問題。

現(xiàn)階段鋁碳化硅（AlSiC）廣泛應用于高功率大電流IGBT基板、散熱板（可水冷）、微波電路基座（軍用、航空、航天、民用通信基站）、電力電子熱沉、基板、倒裝芯片蓋板、光電轉(zhuǎn)換器外殼、LED導熱柱等方面。

2010年PCIM展會期間將亮相的該鋁瓷材料產(chǎn)品，具有其以下幾個特點：

→   高導熱率（180-200W/mK）和可調(diào)的熱膨脹系數(shù)（6.5-9.5X10-6/K），從而使電子器件的可靠性和穩(wěn)定性得到大幅提升。

→  因其是復合材料，其熱膨脹系數(shù)等性能可通過改變其組成而加以調(diào)整，因此產(chǎn)品可按用戶的具體要求而靈活地設計，能夠真正地做到量體裁衣，這是傳統(tǒng)的金屬材料或陶瓷材料無法作到的。

→  AlSiC的密度與鋁相當，比銅和Kovar輕得多，還不到Cu/W的五分之一，特別適合于便攜式器件、航空航天和其他對重量敏感領域的應用。

→  AlSiC的比剛度（剛度除以密度）是所有電子材料中最高的：是鋁的3倍，是W-Cu和Kovar的5倍，是銅的25倍，而且AlSiC的抗震性遠比陶瓷好，因此是惡劣環(huán)境（震動較大，如航天、汽車等領域）工作環(huán)境下的首選材料。目前高電流IGBT基板的首選材料就是鋁瓷。

→  AlSiC可采用凈成形手段鑄造成形，適合大批量加工的工業(yè)化方式生產(chǎn)，成本低于鎢銅、鉬銅的同時，在大尺寸件與形狀件的生產(chǎn)方面，也遠優(yōu)于鎢銅、鉬銅。

→  AlSiC可以鍍鎳、鎳磷、鎳硼、金等，表面也可以進行陽極氧化處理。

→  金屬化的陶瓷基片可以釬焊到鍍好的AlSiC基板上，用粘結(jié)劑、樹脂可以將印制電路板芯與AlSiC粘合。

→ AlSiC本身具有較好的氣密性。但是，與金屬或陶瓷封裝后的氣密性取決于合適的鍍層和焊接。

→  AlSiC的物理性能及力學性能都是各向同性的。