伴隨《Avatar》精彩預告片的曝光，3D欲將激起新一片技術追求的浪潮。3D技術也成為近來最熱門的新一代IC設計技術話題之一。

芯片制造商正在探索將目前的電子組件堆棧成3D結構之可能性；專家對“真正”的3D封裝之定義，是將不同的IC垂直重迭并以直通硅晶穿孔(through-silicon vias，TSV)技術來連結。該種方式旨在縮短芯片之間的導線、縮小組件尺寸并提高運作帶寬。

到目前為止，芯片制造商采用TSV技術生產的3D組件十分有限，主要是CMOS影像傳感器、MEMS以及某種程度上的功率放大器(PA)；多年來，IBM、Intel等廠商也試圖利用TSV技術來堆棧微處理器、內存或其他IC。

以IBM為例，該公司已經用TSV技術生產出功率放大器，并發(fā)表了數個3D處理器研發(fā)成果，不過可能要等到2012年以后才能達到量產目標；至于另一家大廠Intel則還未找到3D芯片的“殺手級應用”。


實際上，芯片制造商也在3D堆棧技術領域遭遇到不少障礙；根據IBM工程師John Knickerbocker的說法，以TSV技術生產3D組件有五大挑戰(zhàn)：

1. 缺少EDA設計工具輔助；“設計工具還有成長空間。”Knickerbocker指出。

2. 設計復雜度；目前產業(yè)界生產的3D組件其實用到相對數量較少TSV，而關鍵是如何在堆棧中用上更多的TSV？此外，要讓復雜的3D設計散熱也是一個挑戰(zhàn)。

3. 封裝與測試的整合；目前還不清楚未來采用TSV技術的3D芯片會是由IDM廠生產，或是與現有IC一樣采用晶圓代工廠、IC封測廠分工的模式。但有件事很明顯：“測試將會是所有人面臨的挑戰(zhàn)?！?

4. 不同功能系統的組合；要將諸如RF、內存與微處理器等功能整合在同一顆組件中，是一個挑戰(zhàn)。

5. 標準；包括SEMI、Sematech都對3D芯片有不同的規(guī)格標準，還有其他產業(yè)組織也有不同的發(fā)展方向。