爾必達(dá)內(nèi)存轉(zhuǎn)守為攻結(jié)成日臺(tái)聯(lián)盟加速技術(shù)開發(fā)

時(shí)間：2009-09-15 08:33:34

關(guān)鍵字：內(nèi)存爾必達(dá) DRAM 65NM

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[導(dǎo)讀]日本大型DRAM廠商爾必達(dá)內(nèi)存（Elpida Memory）強(qiáng)勢(shì)出擊DRAM市場(chǎng)。除了接手已經(jīng)破產(chǎn)的德國(guó)奇夢(mèng)達(dá)（Qimonda AG）的圖形DRAM業(yè)務(wù)，涉足該市場(chǎng)外，還計(jì)劃與臺(tái)灣DRAM廠商合作以加速低價(jià)位DRAM的開發(fā)。在大容量低功耗的高端

日本大型DRAM廠商爾必達(dá)內(nèi)存（Elpida Memory）強(qiáng)勢(shì)出擊DRAM市場(chǎng)。除了接手已經(jīng)破產(chǎn)的德國(guó)奇夢(mèng)達(dá)（Qimonda AG）的圖形DRAM業(yè)務(wù)，涉足該市場(chǎng)外，還計(jì)劃與臺(tái)灣DRAM廠商合作以加速低價(jià)位DRAM的開發(fā)。在大容量低功耗的高端DRAM方面，除現(xiàn)有的 50nm工藝產(chǎn)品外，還將在2009年內(nèi)開始量產(chǎn)40nm工藝產(chǎn)品。至于此前停滯的硅代工業(yè)務(wù)，從2009年7月起已正式開始量產(chǎn)。

此前一直處于守勢(shì)的爾必達(dá)內(nèi)存轉(zhuǎn)守為攻的原因，除了市場(chǎng)行情出現(xiàn)復(fù)蘇趨勢(shì)外，最主要是因?yàn)橹皯叶礇Q的資金問題已經(jīng)有了眉目。該公司于2009年6 月獲得了日本產(chǎn)業(yè)活力再生特別措施法（產(chǎn)業(yè)再生法）的認(rèn)可，預(yù)計(jì)可以接到包括400億日元公共資金在內(nèi)的1600億日元投融資。其中，還包括與爾必達(dá)內(nèi)存一起擔(dān)任日臺(tái)DRAM聯(lián)盟核心角色的臺(tái)灣記憶體公司（Taiwan Memory Co.，TMC）投資的200億日元。

爾必達(dá)-臺(tái)灣記憶體聯(lián)盟被看做是重組臺(tái)灣DRAM市場(chǎng)的中堅(jiān)力量，但臺(tái)灣各大DRAM廠商卻反對(duì)自己被定位為臺(tái)灣記憶體的生產(chǎn)子公司，因此重組活動(dòng)未能取得進(jìn)展。不過，2009年7月臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)部宣布將以重組為條件提供資金援助，因此重組動(dòng)作再次活躍起來(lái)。

在這種情況下，爾必達(dá)內(nèi)存代表董事社長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官坂本幸雄表示，“臺(tái)灣4家DRAM廠商將有可能加入爾必達(dá)-臺(tái)灣記憶體聯(lián)盟”。這4家廠商分別是臺(tái)灣瑞晶電子（Rexchip Electronics）、臺(tái)灣力晶半導(dǎo)體（Powerchip Semiconductor）、臺(tái)灣茂德科技(ProMOS Technologies)以及臺(tái)灣華邦電子（Winbond Electronics）。爾必達(dá)內(nèi)存設(shè)想將來(lái)把生產(chǎn)業(yè)務(wù)委托給這些企業(yè)，以推進(jìn)能夠在不進(jìn)行細(xì)微化的前提下降低成本的65nm工藝低價(jià)位DRAM（壓縮版DRAM）的開發(fā)。除了已經(jīng)開始量產(chǎn)的“65nmS”（S代表壓縮）外，還將在2009年內(nèi)開發(fā)可進(jìn)一步降低成本的“65nmXS（XS代表超高壓縮）”。