英特爾公司（Intel Corporation）和美光科技股份有限公司（Micron Technology Inc.）近日宣布，雙方依靠其獲獎的34納米NAND工藝，推出每單元儲存3比特（3-bit-per-cell，簡稱3bps）的多層單元（MLC）NAND技術(shù)試用產(chǎn)品。這些芯片最適合用于閃存卡和USB驅(qū)動器等消費存儲設(shè)備，在這類應(yīng)用場合中，高密度和性價比是首要考慮的問題。

雙方組建的NAND閃存合資企業(yè)IM Flash Technologies公司（IMFT）開發(fā)了3bpc NAND新技術(shù)，并利用這項技術(shù)生產(chǎn)出了目前市場上尺寸最小、性價比最高的32Gb芯片。32Gb 3bpc NAND芯片面積為126mm2，將于2009年第四季度投入量產(chǎn)。兩家公司不斷致力于新的工藝微縮（process shrink）研發(fā)，現(xiàn)在推出的3bpc NAND技術(shù)是其產(chǎn)品戰(zhàn)略的重要組成部分，也是為關(guān)鍵細分市場服務(wù)的有效途徑。

美光公司內(nèi)存事業(yè)部副總裁Brian Shirley說，“我們把3bpc NAND技術(shù)看作路線圖的重要組成部分。我們也會繼續(xù)推進NAND工藝微縮的研發(fā)，從而在今后若干年為客戶提供世界一流的產(chǎn)品組合。今天發(fā)布的消息進一步表明，美光和英特爾在34納米NAND技術(shù)方面已經(jīng)取得了重大的進展。我們盼望今年晚些時候推出2xnm技術(shù)。”

英特爾公司副總裁、英特爾NAND解決方案事業(yè)部總經(jīng)理Randy Wilhelm說，“我們走向3bpc技術(shù)，這是英特爾和美光在34納米NAND開發(fā)過程中取得突出進展的又一個證明。這一里程碑為我們在2xnm硅加工工藝方面保持領(lǐng)先地位奠定了基礎(chǔ)，而這種2xnm工藝將有助于為客戶節(jié)省成本，拓展我們NAND解決方案的功能。”