三星與東芝就共享半導(dǎo)體專(zhuān)利期限延長(zhǎng)
據(jù)韓聯(lián)社報(bào)道,三星電子日前發(fā)表告示稱(chēng),與日本東芝就共享兩家半導(dǎo)體部門(mén)的專(zhuān)利達(dá)成了協(xié)議。
在NAND型閃存領(lǐng)域位居前二的三星電子和東芝,從2002年9月至今年3月,一直共享半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)@夹g(shù)。
此次達(dá)成的協(xié)議延長(zhǎng)了專(zhuān)利共享時(shí)間,但根據(jù)協(xié)議并未公開(kāi)具體共享期限和條款。
三星電子相關(guān)人士表示:“為了避免不必要的專(zhuān)利競(jìng)爭(zhēng),并加強(qiáng)領(lǐng)頭企業(yè)間的合作,以及占領(lǐng)市場(chǎng)主導(dǎo)權(quán),決定共享專(zhuān)利技術(shù)?!比ツ辏?strong>三星電子和東芝在NAND型閃存市場(chǎng)的占有率分別為42.1%和29.3%,分別位居第1和第2,海力士則以12.3%位居第3。