三星與東芝就共享半導(dǎo)體專利期限延長(zhǎng)
[導(dǎo)讀]據(jù)韓聯(lián)社報(bào)道，三星電子日前發(fā)表告示稱，與日本東芝就共享兩家半導(dǎo)體部門的專利達(dá)成了協(xié)議。
在NAND型閃存領(lǐng)域位居前二的三星電子和東芝，從2002年9月至今年3月，一直共享半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)＠夹g(shù)。
此次達(dá)成的協(xié)議延長(zhǎng)了
據(jù)韓聯(lián)社報(bào)道，三星電子日前發(fā)表告示稱，與日本東芝就共享兩家半導(dǎo)體部門的專利達(dá)成了協(xié)議。
在NAND型閃存領(lǐng)域位居前二的三星電子和東芝，從2002年9月至今年3月，一直共享半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)＠夹g(shù)。
此次達(dá)成的協(xié)議延長(zhǎng)了專利共享時(shí)間，但根據(jù)協(xié)議并未公開具體共享期限和條款。
三星電子相關(guān)人士表示：“為了避免不必要的專利競(jìng)爭(zhēng)，并加強(qiáng)領(lǐng)頭企業(yè)間的合作，以及占領(lǐng)市場(chǎng)主導(dǎo)權(quán)，決定共享專利技術(shù)。”去年，三星電子和東芝在NAND型閃存市場(chǎng)的占有率分別為42．1％和29．3％，分別位居第1和第2，海力士則以12．3％位居第3。
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