晶體管結構和低溫度預算工藝步驟(low thermal budget process sequence)的變革促使單片(monolithic)3-D Flash預計將逐漸在大容量存儲用途取代傳統(tǒng)的NAND Flash Memory如MP3播放器,數(shù)位攝影和固態(tài)硬碟。 Schiltron的制造方式,其中實現(xiàn)CMP關鍵工藝,產(chǎn)生了柵極長度48納米, 45納米柵極寬度和厚度35納米渠道,已知最小的矽基薄膜電晶體。
Schiltron的創(chuàng)始人兼主席Andrew J. Walker說:“可擴展性的NAND Flash時代即將
Schiltron其中一個關鍵目標是藉由Entrepix在先進的化學機械拋光工藝的專業(yè)知識來達成其裝置架構概念證明?;瘜W機械研磨拋光在整個裝置流程起了以下2個重要關鍵和可行性:1,第一個柵極(first gate)的構思和形成;2,超薄的渠道(ultra-thin channel)的形成。這兩者對于裝置功能都是至關重要。
Entrepix技術長Rob Rhoades說:“這個項目的發(fā)明很明顯的顯示化學機械研磨拋光(CMP)工藝有一定特有的產(chǎn)品架構和引發(fā)更多新產(chǎn)品的實現(xiàn)。Schiltron也在3D Flash技術跨過和奠定了一大步也代表CMP將在新的材料和下一代產(chǎn)品的研發(fā)會將扮演更重要的角色?!?nbsp;
Schiltron,Mountain View, CA,在最近的舊金山國際電子器件會議(IEDM)上首次介紹了其新產(chǎn)品結構,說明新產(chǎn)品如何在替代制造方式提供明顯優(yōu)勢會。
Flash Memory 是一種非易失性的存儲器。在嵌入式系統(tǒng)中通常用于存放系統(tǒng)、應用和數(shù)據(jù)等。在 PC 系統(tǒng)中,則主要用在固態(tài)硬盤以及主板 BIOS 中。
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