在公布最新季度財(cái)報(bào)的同時(shí),臺積電也第一次公開承認(rèn),其40nm制造工藝碰到了一些麻煩。
臺積電在去年底基本準(zhǔn)時(shí)地上馬了40nm生產(chǎn)線,并在今年第一季度貢獻(xiàn)了大約1%的收入,高于預(yù)期水準(zhǔn),預(yù)計(jì)今年第二季度會達(dá)到2%左右。
臺積電CEO蔡力行在回答分析師的提問時(shí)說:“良品率是有些問題。對制造商而言40nm是一項(xiàng)非常困難的技術(shù)。(不過)我們已經(jīng)找到了問題的根源,并且已經(jīng)或正在解決?!?/FONT>
結(jié)合此前消息,臺積電40nm工藝可能無法很好地控制漏電率,難以制造高性能GPU芯片,不過蔡力行并未詳加說明,只是聲稱臺積電已經(jīng)完成了基于28nm工藝的可用SRAM單元,預(yù)計(jì)2010年第一季度開始啟用這種新工藝,屆時(shí)會帶來高K介質(zhì)和金屬柵極技術(shù)。
蔡力行還在會議期間對今年的多個(gè)行業(yè)進(jìn)行了展望:IC產(chǎn)業(yè)跌20%、代工產(chǎn)業(yè)跌25-30%、PC出貨量跌8%、手機(jī)出貨量跌12%、消費(fèi)電子產(chǎn)品出貨量跌7%。
今年第一季度臺積電收入395.00億新臺幣(¥81.26億元),環(huán)比減少38.8%、同比減少54.8%,凈利15.59億新臺幣(¥3.21億元),環(huán)比減少87.5%、同比減少94.5%
就生產(chǎn)工藝而言,0.13微米依然撐起了臺積電總收入的65%,其次是90nm 25%、65nm 23%、4540nm1%。
競爭對手聯(lián)電一季度虧損81.6億新臺幣,相比上季度的235.1億新臺幣大為減少,并預(yù)計(jì)今年第二季度即可重新盈利,同時(shí)生產(chǎn)線開工率已從30%升至75%。
為物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用選擇電子元件的兩個(gè)關(guān)鍵標(biāo)準(zhǔn)是功率預(yù)算和性能。自從電子產(chǎn)品問世以來,就一直在這兩者之間進(jìn)行權(quán)衡——要么獲得最佳功耗,要么獲得最高性能。根據(jù)應(yīng)用程序,系統(tǒng)架構(gòu)師對系統(tǒng)中的不同組件有不同的要求。例如,系統(tǒng)可能需要高...
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