1月6日消息，據(jù)臺灣媒體報道，三星傳出有意調降今年半導體部門資本支出，由6兆韓元大減五成至3兆韓元，而且僅達去年10兆韓元的30%，激勵昨（5）日DRAM現(xiàn)貨價開新春紅盤大漲逾4%，并朝1美元關卡靠攏，創(chuàng)波段新高。

三星是全球DRAM與NAND Flash龍頭，DRAM市占率更超過25%，三星大砍資本支出，意味大舉減產時代來臨，有助舒緩供過于求問題，促使價格回升，使得上周DRAM報價大漲逾四成的狀況可能重現(xiàn)，力晶等臺灣內存芯片廠將受惠。

業(yè)界認為，三星節(jié)制資本支出，對抒解市場供過于求絕對是好事一樁，以其削減金額龐大來看，應該是針對目前內存主力12吋晶圓的配置，絕非僅有6吋與8吋晶圓。

根據(jù)集邦科技（DRAMeXchange）報價，1Gb DDRII DRAM有效測試顆粒（eTT）昨天已起漲，均價站上0.91美元的波段新高，漲幅超過4%；品牌顆粒報價更大漲逾5%。法人預期，有效測試顆粒報價短期將先朝1美元靠攏，若能再度掀起大漲行情，有助DRAM廠轉虧為盈。

三星上個月初才表示，今年半導體部門的資本支出，將由去年的10兆韓元縮減四成至6兆韓元，迄今不到一個月，

臺灣DRAM廠也紛紛縮手今年資本支出。力晶今年資本支出，由去年的300億元降到只剩數(shù)十億元，創(chuàng)近年來最低紀錄。南科、華亞科、茂德雖然尚未公布今年狀況，但各公司內部已有保守的共識。