Angstrom Aerospace選擇飛思卡爾4Mbit MRAM器件
磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)產(chǎn)品提供商飛思卡爾(Freescale)半導體公司為環(huán)境苛刻的應用，如軍事、航空航天、工業(yè)和汽車系統(tǒng)等提供非易失性存儲技術(shù)。Angstrom Aerospace最近宣布在其磁力計子系統(tǒng)中使用飛思卡爾的溫度范圍更大的4Mbit，該系統(tǒng)將被搭載在日本的一顆研究衛(wèi)星發(fā)射進入太空。
Angstrom Aerospace在其Tohoku-AAC MEMS Unit(TAMU)中使用飛思卡爾的MRAM，TAMU是被稱為SpriteSat的日本研究衛(wèi)星的磁力計子系統(tǒng)。在開發(fā)衛(wèi)星子系統(tǒng)的過程中，Angstrom Aerospace與瑞典皇家技術(shù)學院材料物理與應用自旋電子的知名教授Johan Akerman博士通力合作。
Johan Akerman博士說，“飛思卡爾的4Mbit MRAM器件取代了SpriteSat的Angstrom模塊中的閃存和以電池為電源的SRAM。能夠在衛(wèi)星研發(fā)工作的不同階段重新配置關(guān)鍵程序和路線定義，這是一項很大的優(yōu)勢。
TAMU計劃為SpriteSat提供地球磁場的磁強計數(shù)據(jù)。SpriteSat項目由Kazuya Yoshida教授領導，在位于日本仙臺的Tohoku大學興建。計劃于2008年底升空的SpriteSat的任務是監(jiān)視地球上層大氣中的“sprite”現(xiàn)象(閃電效應)。
Angstrom Aerospace之所以選擇飛思卡爾的4Mbit MRAM器件，是因為它集合了眾多優(yōu)點，如非易失性內(nèi)存、擴展的溫度操作、耐力持久以及長時間數(shù)據(jù)保留(即使在斷電的情況下)。MRAM能夠在一塊內(nèi)存上保存程序數(shù)據(jù)和FPGA配置數(shù)據(jù)，讓Angstrom Aerospace將所有存儲需求縮減到一個芯片上，從而降低了主板區(qū)域。同時，MRAM存儲的靈活性也使得系統(tǒng)能夠在太空中進行重新配置。
“MRAM溫度范圍的擴大為惡劣環(huán)境中的系統(tǒng)設計(如TAMU)提供了獨特的高溫和高可靠性，”飛思卡爾MRAM產(chǎn)品經(jīng)理David Bondurant表示，“MRAM的優(yōu)勢還延伸到運輸和工業(yè)市場，在這一領域，飛思卡爾正在與那些需要大量快速且經(jīng)濟高效的內(nèi)存的開發(fā)人員合作，這些內(nèi)存是非常理想的非易失性內(nèi)存，可進行大量讀寫循環(huán)?！?/P>
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