安森美擴(kuò)展低Vce(sat)雙極結(jié)晶體管產(chǎn)品
[導(dǎo)讀]電源管理半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ONSemiconductor)推出采用先進(jìn)硅技術(shù)的PNP與NPN器件，豐富了其業(yè)界領(lǐng)先的低Vce(sat)雙極結(jié)晶體管(BJT)產(chǎn)品系列。這兩種新型晶體管與傳統(tǒng)的BJT或平面MOSFET相比，不僅實(shí)現(xiàn)了
電源管理半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ONSemiconductor)推出采用先進(jìn)硅技術(shù)的PNP與NPN器件，豐富了其業(yè)界領(lǐng)先的低Vce(sat)雙極結(jié)晶體管(BJT)產(chǎn)品系列。這兩種新型晶體管與傳統(tǒng)的BJT或平面MOSFET相比，不僅實(shí)現(xiàn)了能效的最大化，而且還延長了電池的使用壽命。最新的低Vce(sat)BJT包括WDFN、SOT-23、SOT-223、SOT-563、ChipFET及SC-88等多種封裝形式，非常適用于多種便攜式應(yīng)用。
安森美半導(dǎo)體最新推出的NSSxxx低Vce(sat)表面貼裝器件專為對(duì)能效控制要求極為嚴(yán)格的低壓轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計(jì)。電流為1A時(shí)，該器件可提供45mV的超低飽和電壓及300倍的電流增益。這種低Vce(sat)BJT還提供超過8kV的較高的靜電放電(ESD)容差，因此能在突發(fā)浪涌情況下自我保護(hù)，避免受損。由于實(shí)現(xiàn)了出色的電氣性能及較低的溫度系數(shù)，因此這種器件可提高能效，在無需額外ESD保護(hù)電路就能實(shí)現(xiàn)更好的電池節(jié)能。相對(duì)于MOSFET而言，這種器件比較適中的開關(guān)速度降低了噪聲諧波，因此更適于需要控制電磁干擾(EMI)的應(yīng)用。
安森美半導(dǎo)體的低Vce(sat)BJT系列產(chǎn)品采用多種業(yè)界領(lǐng)先的封裝，包括SOT-23、SOT-223、SOT-563、WDFN3、WDFN6、ChipFET、SC-88、SC74和TSOP6等。每10,000片的批量單價(jià)為0.14～0.27美元。
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