汽車駕駛導(dǎo)向系統(tǒng)和便攜式DVD機(jī)等所用的電路板越來(lái)越小型化。其中,要求MOSFET更加小型、大電流化。ROHM這次開(kāi)發(fā)成功的MPT6Dual(2元件)系列產(chǎn)品將2個(gè)元件裝入MPT6型封裝(4540規(guī)格尺寸:4.5×4.0×1.0mm)中,得到與原來(lái)的SOP8封裝(5060規(guī)格尺寸:5.0×6.0×1.75mm)同樣高的封裝功率(2.0W)。與SOP8相比,MPT6Dual的安裝面積減少約40%,高度變成1.0mm也減小約40%,從而使機(jī)器中使用的電路板可以更加小型化,而且線路安裝設(shè)計(jì)也有了更大的靈活性。
另外,由于采用了新開(kāi)發(fā)的低導(dǎo)通電阻芯片,在使封裝小型化的同時(shí)實(shí)現(xiàn)了與現(xiàn)有SOP8Dual產(chǎn)品同樣低的導(dǎo)通電阻。ROHM將要逐步大量生產(chǎn)封裝有2個(gè)芯片(Nch+Nch和Nch+Pch)的產(chǎn)品,充實(shí)供用戶選擇的產(chǎn)品系列。
<MPT6Dual產(chǎn)品系列的主要優(yōu)點(diǎn)>
1)小型、大功率「MPT6」型封裝(4540規(guī)格:4.5×4.0×1.0mm/2W)
用4540規(guī)格實(shí)現(xiàn)與SOP8型封裝(5060規(guī)格:5.0×6.0×1.75mm)同樣高的封裝功率
(安裝面積減少約40%,高度減小約40%)
2)由于其中采用了新開(kāi)發(fā)的低導(dǎo)通電阻芯片,獲得了大的電流額定值ID=6AMax.(MP6K62)
ROHM在晶體管領(lǐng)域憑借尖端的元件微細(xì)加工技術(shù)和擅長(zhǎng)的封裝技術(shù),今后還要開(kāi)發(fā)出更多符合用戶需要的產(chǎn)品。
傳統(tǒng)上,耗盡型 MOSFET 被歸類為線性器件,因?yàn)樵礃O和漏極之間的傳導(dǎo)通道無(wú)法被夾斷,因此不適合數(shù)字開(kāi)關(guān)。這種誤解的種子是由 Dawon Kahng 博士播下的,他在 1959 年發(fā)明了第一個(gè)耗盡型 MOSFET——只...
關(guān)鍵字: MOSFET 數(shù)字開(kāi)關(guān)近年來(lái),HDD機(jī)械硬盤(pán)市場(chǎng)遭遇了SSD硬盤(pán)的沖擊,除了單位容量?jī)r(jià)格還有一點(diǎn)優(yōu)勢(shì)之外,性能、體積、能耗等方面全面落敗,今年再疊加市場(chǎng)需求下滑、供應(yīng)鏈震蕩等負(fù)面因素,HDD硬盤(pán)銷量又要大幅下滑了。來(lái)自集邦科技旗下的Trend...
關(guān)鍵字: HDD 機(jī)械硬盤(pán) AMR 封裝為了最大限度地減少開(kāi)關(guān)階段的功耗,必須盡快對(duì)柵極電容器進(jìn)行充電和放電。市場(chǎng)提供了特殊的電路來(lái)最小化這個(gè)過(guò)渡期。如果驅(qū)動(dòng)器可以提供更高的柵極電流,則功率損耗會(huì)降低,因?yàn)楣β仕矐B(tài)的峰值會(huì)更短。一般來(lái)說(shuō),柵極驅(qū)動(dòng)器執(zhí)行以下任務(wù)...
關(guān)鍵字: 柵極驅(qū)動(dòng)器 MOSFET該穩(wěn)壓器內(nèi)置一個(gè)MOSFET和一個(gè)續(xù)流二極管,MOSFET提供交流發(fā)電機(jī)勵(lì)磁電流,當(dāng)勵(lì)磁關(guān)閉時(shí),續(xù)流二極管負(fù)責(zé)提供轉(zhuǎn)子電流。發(fā)電機(jī)閉環(huán)運(yùn)行具有負(fù)載響應(yīng)控制 (LRC)和回路LRC控制,當(dāng)車輛的整體電能需求不斷變化時(shí),使輸...
關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體 穩(wěn)壓器 MOSFET 續(xù)流二極管