海宏力半導(dǎo)體制造有限公司近日宣布，在過去的2006年，其晶圓出貨量和營(yíng)業(yè)額較2005年的增長(zhǎng)率均超過100%。2007年伊始，在半導(dǎo)體行業(yè)普遍低迷的情況下，宏力依然延續(xù)06年第四季度的增長(zhǎng)勢(shì)頭，產(chǎn)能利用持續(xù)滿載，且預(yù)計(jì)2007年全年都將保持這一強(qiáng)勁態(tài)勢(shì)。07年第一季度產(chǎn)值將比上季增長(zhǎng)15％～17％。公司已在陸續(xù)增加機(jī)臺(tái)，2007年底月產(chǎn)能可望更加擴(kuò)大,本年度銷售額預(yù)期將比2006年增長(zhǎng)至少40％。

    宏力于2006年重新部署全球市場(chǎng)版圖，相繼在北美、歐洲、日本、臺(tái)灣設(shè)立了辦事處，為當(dāng)?shù)乜蛻籼峁┵N心服務(wù)，目前客戶數(shù)已激增至2005年的兩倍之多，其中有多家是排名全球前35位之內(nèi)的知名IDM或Fabless公司。

    2006年，公司重點(diǎn)項(xiàng)目“深亞微米NOR型閃存技術(shù)與工藝開發(fā)”的項(xiàng)目以其國(guó)際領(lǐng)先的技術(shù)水平、突出的經(jīng)濟(jì)效益和社會(huì)效益被評(píng)為“上海市科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)”。這一項(xiàng)目的科技成果填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)多項(xiàng)空白，使中國(guó)的閃存生產(chǎn)技術(shù)達(dá)到了國(guó)際先進(jìn)水平，并已得到了廣泛應(yīng)用。例如，宏力0.25微米嵌入式閃存工藝已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了成熟量產(chǎn)，其中一款應(yīng)用于日本某汽車大廠引擎控制芯片，這也是中國(guó)生產(chǎn)的首款應(yīng)用于高端汽車電子的集成電路產(chǎn)品。宏力0.12微米閃存工藝進(jìn)入試產(chǎn)。未來(lái)2～3年，宏力將在現(xiàn)有基礎(chǔ)上，積極開發(fā)0.18／0.15微米的自對(duì)準(zhǔn)嵌入式閃存等多項(xiàng)新工藝，以期成為該領(lǐng)域首屈一指的制造廠商。

    宏力技術(shù)研發(fā)部門已在2006年通過了“上海市企業(yè)技術(shù)研發(fā)中心”認(rèn)定，擁有大量來(lái)自于美國(guó)、新加坡及臺(tái)灣地區(qū)擁有二十年以上經(jīng)驗(yàn)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)精英和國(guó)內(nèi)優(yōu)秀的技術(shù)人才。去年一年中共有約100多個(gè)產(chǎn)品tape out，較之2005年增長(zhǎng)50％。目前，宏力能提供0.25／0.22／0.18／0.15微米及以下的多種技術(shù)工藝，產(chǎn)品類型涵蓋邏輯、混合信號(hào)、射頻、高壓器件，掩模存儲(chǔ)器及靜態(tài)存儲(chǔ)器、閃存等。

    宏力半導(dǎo)體制造有限公司充滿信心地表示，2007年將是公司夯實(shí)基礎(chǔ)，繼續(xù)發(fā)力快跑的一年。