半導(dǎo)體技術(shù)是當(dāng)今世界最有活力的技術(shù)領(lǐng)域，通常認(rèn)為集成電路是半導(dǎo)體技術(shù)的核心，它的發(fā)展及其在各個(gè)領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，極大地推動(dòng)了科學(xué)技術(shù)的進(jìn)步和經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)，各國(guó)都把集成電路產(chǎn)業(yè)作為戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)來(lái)對(duì)待，其技術(shù)水平的高低和產(chǎn)業(yè)規(guī)模的大小已成為衡量一個(gè)國(guó)家技術(shù)、經(jīng)濟(jì)發(fā)展和國(guó)防實(shí)力的重要標(biāo)志。為此各國(guó)競(jìng)相投入大量的人力、物力和資金，促進(jìn)其發(fā)展。我國(guó)亦不例外，出臺(tái)各種優(yōu)惠政策，集中有限資金，傾力發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)，并依靠應(yīng)用半導(dǎo)體技術(shù)為基礎(chǔ)的電子信息技術(shù)改造現(xiàn)有的傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)，促使國(guó)民經(jīng)濟(jì)跨越式發(fā)展。

半導(dǎo)體是一個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈

在各種鼓勵(lì)政策的扶持下，集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境得到改善，產(chǎn)業(yè)規(guī)模迅速擴(kuò)張。近幾年來(lái)在各地具體優(yōu)惠政策激勵(lì)下，通過(guò)引資，外資、合資企業(yè)紛紛進(jìn)入國(guó)內(nèi)建立技術(shù)先進(jìn)的集成電路企業(yè)(包括IC晶圓制造、IC封裝測(cè)試、IC設(shè)計(jì))，大大縮短了我國(guó)集成電路設(shè)計(jì)、制造技術(shù)與先進(jìn)發(fā)達(dá)國(guó)家之間的差距，建成了一批與世界集成電路主流技術(shù)(8英寸0.25μm/0.18μm)一樣的制造企業(yè)。同時(shí)也形成了長(zhǎng)江三角洲、珠江三角洲和京津地區(qū)為代表的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)熱區(qū)。

世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的歷史告訴我們：要做大做強(qiáng)我國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，必須要堅(jiān)持不斷地創(chuàng)新，有自主的知識(shí)產(chǎn)權(quán)，自己的核心技術(shù)。為了使我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)更加健康、有序、快速發(fā)展，有關(guān)部、委正在研究、制定產(chǎn)業(yè)發(fā)展條例，把集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展納入法制的軌道。根據(jù)我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的實(shí)際和發(fā)展?fàn)顩r，建議不宜籠統(tǒng)提集成電路產(chǎn)業(yè)，而應(yīng)提半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)更為確切，發(fā)達(dá)國(guó)家都把半導(dǎo)體作為一個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈來(lái)對(duì)待，并對(duì)整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)給以優(yōu)惠政策，促進(jìn)其快速成長(zhǎng)和發(fā)展。

重視半導(dǎo)體分立器件發(fā)展

長(zhǎng)期以來(lái)半導(dǎo)體分立器件一直被排除在扶持、優(yōu)惠政策之外，這樣不利于半導(dǎo)體分立器件的持續(xù)發(fā)展。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展始于分立器件，集成電路的發(fā)明和發(fā)展離不開(kāi)分立器件，在集成電路高度發(fā)展的今天，分立器件在世界半導(dǎo)體市場(chǎng)中，每年的銷售額仍平穩(wěn)增長(zhǎng)，產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大。

國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體分立器件的發(fā)展也是如此，且以大大高于世界增長(zhǎng)率水平向前推進(jìn)，并已開(kāi)始進(jìn)入國(guó)際市場(chǎng)，據(jù)海關(guān)統(tǒng)計(jì)2005年半導(dǎo)體分立器件出口數(shù)量和金額分別為1786.9億只和41.8億美元，比2004年分別增長(zhǎng)24.9%和72%。但是我國(guó)半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)品的檔次不高，大部分是中、低檔產(chǎn)品和代工產(chǎn)品收入。

據(jù)海關(guān)統(tǒng)計(jì)，2005年我國(guó)半導(dǎo)體分立器件進(jìn)口數(shù)量和金額分別為2054.3億只，110.2億美元，比2004年分別增長(zhǎng)18.6%和48.5%。這些產(chǎn)品大多數(shù)是高檔的分立器件產(chǎn)品，其技術(shù)含量以及制造工藝難度都不亞于超大規(guī)模集成電路(VLSI)。VDMOS、IGBT等產(chǎn)品就是采用VLSI的微細(xì)加工工藝技術(shù)制作的，國(guó)外生產(chǎn)這些產(chǎn)品的工藝線已向8英寸發(fā)展，光刻線也從微米向亞微米級(jí)發(fā)展，從而使IGBT尺寸縮小了80%，大大提高了電流密度，因此，認(rèn)為分立器件技術(shù)含量很低，這是一種誤解，應(yīng)予以澄清，使我們對(duì)半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)有一個(gè)清醒的認(rèn)識(shí)。

為什么我國(guó)高端分立器件產(chǎn)品遲遲上不去或不能形成批量生產(chǎn)能力，原因在于這些產(chǎn)品的含量高，制造難度大，我國(guó)在技術(shù)上與國(guó)外存在較大差距。

因此，國(guó)內(nèi)分立器件必須提升自己的設(shè)計(jì)、工藝水平，提高創(chuàng)新能力，至于批量生產(chǎn)又要增加較多微細(xì)加工設(shè)備，投資較大，沒(méi)有一定的優(yōu)惠扶持政策，企業(yè)的發(fā)展是艱難的。

集成電路發(fā)展，從小規(guī)模集成(SSI)開(kāi)始，經(jīng)中規(guī)模集成(MSI)、大規(guī)模(LSI)，發(fā)展到超大規(guī)模集成(VLSI)，目前已進(jìn)入特大規(guī)模(ULSI)和甚大規(guī)模(GSI)，單片集成電路可越過(guò)10億個(gè)元器件。也許人們會(huì)誤解，分立器件會(huì)被淘汰，會(huì)被集成電路所替代，實(shí)際上半導(dǎo)體分立器件以它在電子信息技術(shù)應(yīng)用中的獨(dú)特地位和作用，是不可替代的。在大功率，大電流、高頻高速、低噪聲等應(yīng)用領(lǐng)域，它起著無(wú)法替代的關(guān)鍵作用，是信息系統(tǒng)的核心部件。

事實(shí)上，集成電路的應(yīng)用離不開(kāi)分立器件的配合。在近代無(wú)線通信中，接收系統(tǒng)的前端、發(fā)射系統(tǒng)的末端都離不開(kāi)高性能的半導(dǎo)體分立器件，否則談不上現(xiàn)代無(wú)線通信。如一些手機(jī)中基帶部分就使用了9只分立器件；射頻部分用了低噪聲晶體管、數(shù)字晶體管、檢波管等分立器件。

迫切需要形成統(tǒng)一產(chǎn)業(yè)政策

我國(guó)是一個(gè)能源緊缺的國(guó)家，目前所有的能源中，電力能源約占40%，而電力能源中有40%是經(jīng)過(guò)電力電子設(shè)備的轉(zhuǎn)換才能到達(dá)使用者手中。其中55%以上是用在馬達(dá)和馬達(dá)控制方面，20%用在照明。如果在馬達(dá)、馬達(dá)控制、照明中應(yīng)用電力電子技術(shù)去轉(zhuǎn)換，人類最少可以節(jié)省約1/3的能源，相當(dāng)于840個(gè)發(fā)電廠發(fā)出的電能。由此可以看出，電力電子技術(shù)與節(jié)能密切相關(guān)，而電力電子核心是電力電子器件，正因?yàn)橛辛诵滦透叨斯β史至⑵骷β蔒OSFET、IGBT、MCT(MOS控制晶閘管)，電力電子技術(shù)才有今天這樣的發(fā)展，才可以用“弱電”去控制“強(qiáng)電”，這里功率半導(dǎo)體分立器件起到了不可替代的關(guān)鍵作用。

由于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展因資金投資密集，在硅周期低潮時(shí)，除市場(chǎng)引導(dǎo)型企業(yè)外，IDM企業(yè)很難逃脫虧損的厄運(yùn)，故產(chǎn)業(yè)鏈逐步細(xì)化而形成了設(shè)計(jì)、芯片制造、封裝測(cè)試三大塊，但隨著三大塊技術(shù)的日益發(fā)展以及三大塊之間技術(shù)滲透與高密度封裝的需求，已很難把傳統(tǒng)意義的三大塊完全區(qū)分，界限已趨模糊。以晶圓級(jí)封裝(WLCSP)工藝為例，它將半導(dǎo)體制造技術(shù)與高密度封裝技術(shù)有機(jī)結(jié)合在一起，由此可以獲得真正與芯片尺寸大小一致的CSP封裝，降低了單位芯片的生產(chǎn)成本。

因此在制定產(chǎn)業(yè)發(fā)展條例時(shí)，應(yīng)考慮以中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)為出發(fā)點(diǎn)，同時(shí)兼顧到與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有密切關(guān)系的半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體專用設(shè)備和測(cè)試儀器，促使他們的發(fā)展。今年以來(lái)，硅材料的緊缺(主要原因是多晶硅的緊缺)，半導(dǎo)體封裝業(yè)尤其是短小輕薄型器件產(chǎn)能的短缺，使半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展受到影響，這個(gè)例子充分說(shuō)明了制定整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展條例的必要性、迫切性，早日形成統(tǒng)一的產(chǎn)業(yè)政策，才能使中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)得到持續(xù)、健康的發(fā)展。