[導讀]初創(chuàng)公司MearsTechnologies聲稱清除了芯片工業(yè)半導體國際技術藍圖目標的最后幾只攔路虎之一——門泄漏，將摩爾定律延伸至22納米節(jié)點。通過改變晶體管通道，Mears表示其技術讓摩爾定律發(fā)揮出新的生命力。該技術用硅超
初創(chuàng)公司MearsTechnologies聲稱清除了芯片工業(yè)半導體國際技術藍圖目標的最后幾只攔路虎之一——門泄漏，將摩爾定律延伸至22納米節(jié)點。通過改變晶體管通道，Mears表示其技術讓摩爾定律發(fā)揮出新的生命力。該技術用硅超晶格來阻擋門泄漏。
SemicoResearch公司戰(zhàn)略技術副總裁MorryMarshall表示，“65納米以下最大的問題是門泄漏，Mears似乎擁有了解決方案。如果方案果真如Mears所說的那樣，那么工業(yè)界將會迅速采納。唯一阻擋其普及的是保守主義、懷疑論和非本地發(fā)明綜合癥。”
該公司聲稱，其超晶格增強了通道平面內的載流子遷移率，同時阻止與芯片平面垂直的門泄漏。ICInsights公司技術副總裁TrevorYancey表示：“它們將單層放下來，有些層傳導性很強，但它們輪流交替阻擋垂直方向上流動的電流，因此緩解了門泄漏。”
Mears聲稱其超晶格在晶體管通道生長期間，僅用額外的幾個步驟即可被添加到現(xiàn)有的CMOS工藝內。
半導體技術藍圖試圖匯總芯片制造資源來解決阻礙摩爾定律發(fā)展的問題。Semico的Marshall表示：“在應變硅之前前景黯淡，沒有人能預見如何保持性能同時降低功耗?！睉児铚p少了有效的電子質量，因此增加了遷移率，使過渡到65納米成為可能。絕緣硅也在65納米節(jié)點，通過電氣絕緣的相鄰器件和創(chuàng)新器件布局，增強了CMOS電路性能。但應變硅和絕緣硅技術都沒有解決門泄漏問題，采用高K介電質甚至金屬門或許有可能緩解這一問題。
Mears即將上任的CEONeilVasant表示：“我們的技術能被增添到應變硅、絕緣硅或者甚至是體CMOS，其它技術可以在未來5年或10年內隨著生產準備就緒，與我們的技術一起交相輝映?！?
該公司聲稱，其超晶格增強了通道平面內的載流子遷移率，同時阻止與芯片平面垂直的門泄漏。ICInsights公司技術副總裁TrevorYancey表示：“它們將單層放下來，有些層傳導性很強，但它們輪流交替阻擋垂直方向上流動的電流，因此緩解了門泄漏。”
Mears聲稱其超晶格在晶體管通道生長期間，僅用額外的幾個步驟即可被添加到現(xiàn)有的CMOS工藝內。
半導體技術藍圖試圖匯總芯片制造資源來解決阻礙摩爾定律發(fā)展的問題。Semico的Marshall表示：“在應變硅之前前景黯淡，沒有人能預見如何保持性能同時降低功耗?！睉児铚p少了有效的電子質量，因此增加了遷移率，使過渡到65納米成為可能。絕緣硅也在65納米節(jié)點，通過電氣絕緣的相鄰器件和創(chuàng)新器件布局，增強了CMOS電路性能。但應變硅和絕緣硅技術都沒有解決門泄漏問題，采用高K介電質甚至金屬門或許有可能緩解這一問題。
Mears即將上任的CEONeilVasant表示：“我們的技術能被增添到應變硅、絕緣硅或者甚至是體CMOS，其它技術可以在未來5年或10年內隨著生產準備就緒，與我們的技術一起交相輝映?！?
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