電子制造業(yè)“熱協(xié)調(diào)”成IC封裝環(huán)氧板重點(diǎn)
為確保IC封裝在設(shè)計(jì)上的自由度和新IC封裝技術(shù)的開發(fā),開展模型化試驗(yàn)和模擬化試驗(yàn)是必不可缺的。這2項(xiàng)工作對(duì)于掌握IC封裝用環(huán)氧基板材料的特性要求,即對(duì)它的電氣性能、發(fā)熱與散熱的性能、可靠性等要求的了解掌握是很有意義的。專家認(rèn)為,實(shí)施過程中還應(yīng)該與IC封裝的設(shè)計(jì)業(yè)進(jìn)一步溝通,以達(dá)成共識(shí)。將所開發(fā)的基板材料的性能,及時(shí)提供給整機(jī)電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)者,以使設(shè)計(jì)者能夠建立準(zhǔn)確、先進(jìn)的數(shù)據(jù)基礎(chǔ)。IC封裝載板還需要解決與半導(dǎo)體芯片在熱膨脹系數(shù)上不一致的問題,因?yàn)榧词故沁m于微細(xì)電路制作的積層法多層環(huán)氧板,也存在著絕緣基板在熱膨脹系數(shù)上普遍過大(一般熱膨脹系數(shù)在60ppm/℃)的問題,而基板的熱膨脹系數(shù)達(dá)到與半導(dǎo)體芯片接近的6ppm左右,確實(shí)對(duì)基板的制造技術(shù)是個(gè)挑戰(zhàn)。
中國(guó)環(huán)氧樹脂行業(yè)協(xié)會(huì)專家進(jìn)一步介紹說,為了適應(yīng)高速化的發(fā)展,基板的介電常數(shù)應(yīng)該達(dá)到2.0,介質(zhì)損失因數(shù)能夠接近0.001,為此超越傳統(tǒng)的基板材料及傳統(tǒng)制造工藝界限的新一代環(huán)氧印制電路板預(yù)測(cè)在2005年底會(huì)出現(xiàn),而技術(shù)上的突破首先是在使用新的基板材料上的突破。專家還預(yù)測(cè)IC封裝設(shè)計(jì)、制造技術(shù)今后的發(fā)展,對(duì)它所用的基板材料有更嚴(yán)格的要求,這主要表現(xiàn)在以下幾方面:一是與無鉛焊劑所對(duì)應(yīng)的高Tg性,二是達(dá)到與特性阻抗所匹配的低介質(zhì)損失因子性,三是與高速化所對(duì)應(yīng)的低介電常數(shù)(ε應(yīng)接近2),四是低的翹曲度性(對(duì)基板表面的平坦性的改善),五是低吸濕率性,六是低熱膨脹系數(shù)(熱膨脹系數(shù)接近6ppm),七是IC封裝載板的低成本性,八是低成本性的內(nèi)藏元器件的基板材料,九是改善基本機(jī)械強(qiáng)度以提高耐熱沖擊性、適于溫度由高到低變化循環(huán)下而不降低性能的基板材料,十是達(dá)到低成本性、適于高再流焊溫度的綠色型基板材料要求。