日經(jīng)BP社2006年9月15日?qǐng)?bào)道松下電工在半導(dǎo)體繼電器“PhotoMOS系列”產(chǎn)品中追加了高容量、低導(dǎo)通電阻的“PhotoMOSSOP高容量”款型，2006年9月15日上市。包括負(fù)載電壓為60V“SOP（小外形封裝）4引腳”和80V的“SOP6引腳”2款，容量均為1.25A、原來(lái)的2.5倍。導(dǎo)通電阻方面，前者為0.2Ω、約為原來(lái)的1/4，后者為0.09Ω、約為原來(lái)的1/9。面向計(jì)測(cè)設(shè)備、電源、安全設(shè)備等要求長(zhǎng)壽命的電路。

普通的半導(dǎo)體繼電器很難兼顧高容量和低導(dǎo)通電阻，當(dāng)要求高容量/低導(dǎo)通電阻時(shí)，一般采用機(jī)械繼電器。但是，由于機(jī)械繼電器的接點(diǎn)壽命短，在開(kāi)閉頻率高的場(chǎng)合，需要頻繁地更換。因此，松下電工通過(guò)新開(kāi)發(fā)輸出端的MOSFET，開(kāi)發(fā)成功了兼顧高容量和低導(dǎo)通電阻的半導(dǎo)體繼電器?？蓾M(mǎn)足設(shè)備的小型化及高密度封裝要求。

PhotoMOS繼電器由MOSFET、LED及光感應(yīng)器件組成。工作原理如下：當(dāng)訊號(hào)電流通過(guò)輸入接點(diǎn)時(shí)，LED發(fā)光，照射光感應(yīng)器件。光感應(yīng)器件根據(jù)受光量進(jìn)行發(fā)電，為輸出部分的MOSFET柵極充電。當(dāng)MOSFET柵極的電壓超過(guò)預(yù)設(shè)值時(shí)，MOSFET漏極與源極呈導(dǎo)通狀態(tài)，繼電器便開(kāi)通。