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[導(dǎo)讀]走進(jìn)南昌大學(xué)材料科學(xué)研究所,墻上寫著一行醒目的標(biāo)語(yǔ):“多發(fā)光,少發(fā)熱”,仔細(xì)琢磨,覺(jué)得有點(diǎn)不對(duì)勁。人們通常用發(fā)光、發(fā)熱來(lái)形容做貢獻(xiàn),“多發(fā)光”是好事,這“少發(fā)熱”作何解釋?所長(zhǎng)江風(fēng)益教授一語(yǔ)道破天機(jī):

走進(jìn)南昌大學(xué)材料科學(xué)研究所,墻上寫著一行醒目的標(biāo)語(yǔ):“多發(fā)光,少發(fā)熱”,仔細(xì)琢磨,覺(jué)得有點(diǎn)不對(duì)勁。人們通常用發(fā)光、發(fā)熱來(lái)形容做貢獻(xiàn),“多發(fā)光”是好事,這“少發(fā)熱”作何解釋?所長(zhǎng)江風(fēng)益教授一語(yǔ)道破天機(jī):“對(duì)于發(fā)光體來(lái)說(shuō),少發(fā)熱才省電?!?

南昌大學(xué)材料科學(xué)研究所成立于1994年3月。2001年4月經(jīng)教育部批準(zhǔn),依托該所建立了教育部發(fā)光材料與器件工程研究中心,研究工作涵蓋發(fā)光材料制備、發(fā)光器件制作、發(fā)光材料生長(zhǎng)設(shè)備的研制、發(fā)光器件應(yīng)用等方面。最近,該中心在Si襯底上獲得了高質(zhì)量的GaN基多量子阱LED外延材料,并研制成功硅襯底GaN藍(lán)色發(fā)光二極管。用該外延材料的芯片合格率達(dá)87%,輸出光強(qiáng)高達(dá)18—30mcd,獲得了可以實(shí)用、性能優(yōu)良的Si襯底GaN藍(lán)色LED器件,主要性能指標(biāo)好于國(guó)外文獻(xiàn)報(bào)道水平。教育部組織專家對(duì)該項(xiàng)目進(jìn)行了驗(yàn)收,目前已經(jīng)通過(guò)。 藍(lán)色發(fā)光二極管用途十分廣泛,主要包括手機(jī)背光源、手機(jī)來(lái)電閃發(fā)光電池、儀器及汽車音響顯示面板背光等。目前國(guó)外商品化GaN材料是在Si襯底或藍(lán)寶石上生長(zhǎng)的。由于GaN與Si襯底間存在巨大的晶格失配和熱失配的難題,在Si襯底上很難得到器件質(zhì)量的GaN材料,而國(guó)內(nèi)現(xiàn)有的常規(guī)藍(lán)寶石生長(zhǎng)GaN材料工藝路線有可能在發(fā)展過(guò)程中設(shè)計(jì)知識(shí)產(chǎn)權(quán)糾紛,在此情況下,硅襯底成為研究人員矚目的焦點(diǎn)。 江教授說(shuō):“在硅上做發(fā)光器件是整個(gè)領(lǐng)域都?jí)裘乱郧蟮氖隆!痹S多國(guó)家都投入了這項(xiàng)工作,也取得了一定進(jìn)展,但由于硅材料存在熱膨脹系數(shù)不同等難題,該技術(shù)一直沒(méi)能取得突破?!拔覀儺?dāng)初也只是抱著試一試的態(tài)度,沒(méi)想到很快就入了門,現(xiàn)在只有我們達(dá)到實(shí)用水平,但目前還只是小批量生產(chǎn),沒(méi)有推向市場(chǎng)。”

據(jù)專家評(píng)價(jià),南昌大學(xué)的硅襯底藍(lán)色發(fā)光二極管材料及器件工藝路線為我國(guó)發(fā)展自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的發(fā)光材料開(kāi)辟了嶄新的空間。 在實(shí)驗(yàn)室里,江教授展示了硅襯底GaN藍(lán)色發(fā)光二極管。隨著電源接通,小小的二極管放射出璀璨的光芒,雖然是白天,但依舊光彩奪目。江教授說(shuō):“如果是用藍(lán)寶石,達(dá)到這個(gè)亮度很正常,但是用硅就已經(jīng)很不容易了。我們的目標(biāo)是用一半的能耗達(dá)到和藍(lán)寶石一樣的亮度,現(xiàn)在亮度還沒(méi)有達(dá)到,下一步工作是繼續(xù)提高亮度,降低成本。”

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