由于沒有統(tǒng)一的通用容量或性能要求，系統(tǒng)設(shè)計(jì)師們致力于設(shè)計(jì)價(jià)格昂貴的多芯片封裝存儲(chǔ)器件。市場(chǎng)研究公司Semico Research分析師Bob Merritt說：“這說明目前我們已經(jīng)研發(fā)出來的存儲(chǔ)技術(shù)是不夠的?！?

       市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)iSuppli存儲(chǔ)器件分析師Mark DeVoss預(yù)測(cè)，2019年存儲(chǔ)器件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)760億美元，對(duì)任何能夠融合最好的多類型存儲(chǔ)的存儲(chǔ)芯片技術(shù)來說，這都是一個(gè)無法抵制的誘惑。

       但是，包括那些致力于研究可替代性存儲(chǔ)技術(shù)的很多業(yè)界專家都在懷疑，真正的通用存儲(chǔ)技術(shù)究竟會(huì)不會(huì)發(fā)展起來？

       “我還沒有真正看到通用存儲(chǔ)技術(shù)像其他事物一樣隨時(shí)都會(huì)出現(xiàn)，”就職于Intel相位轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)（PCM）部門的Greg Atwood說。

       實(shí)際上，很多理想的通用存儲(chǔ)芯片的性能都是互不兼容的。像SRAM之類的快速存儲(chǔ)芯片需要相當(dāng)?shù)偷碾娫撮T限來改變存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的每個(gè)位，但是對(duì)于長(zhǎng)期數(shù)據(jù)存儲(chǔ)來說，電源門限越高越好。因此，將快速操作和長(zhǎng)期數(shù)據(jù)存儲(chǔ)集成起來確非易事。

主要的擁有競(jìng)爭(zhēng)力的技術(shù)包括PCM、FRAM和MRAM。同時(shí)，Nantero公司正在研發(fā)使用碳納米管存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的技術(shù)。但是，實(shí)際上這些技術(shù)中只有FARM是唯一一個(gè)已經(jīng)走向市場(chǎng)的技術(shù)。Ramtron International每年售出價(jià)值約3,000萬(wàn)美元的FRAM芯片，而Fujitsu（富士通）作為Ramtron芯片的開創(chuàng)者，并沒有透露其銷售情況。

       FRAM不可能同時(shí)在存儲(chǔ)密度和價(jià)格上取得優(yōu)勢(shì)。最新的FRAM芯片僅有256Kb的存儲(chǔ)容量，而閃存已經(jīng)達(dá)到8Gb的存儲(chǔ)容量。

       PCM對(duì)于尺寸非常小的存儲(chǔ)芯片來說頗具發(fā)展?jié)摿?，它在成本上更有?yōu)勢(shì)，也是Hynix、英飛凌、英特爾、三星、ST以及其他一些廠商的研究方向。相對(duì)來說，PCM的功耗相當(dāng)高，而且，由于它對(duì)溫度的敏感性，還可能存在加工上的問題。

       對(duì)于MRAM，飛思卡爾半導(dǎo)體兩年前就已經(jīng)針對(duì)它開始4Mb芯片的用戶樣品開發(fā)，2006年計(jì)劃開始商業(yè)產(chǎn)品的供應(yīng)。

       飛思卡爾MRAM技術(shù)總監(jiān)Saied Tehrani認(rèn)為，從存儲(chǔ)速度和耐用性方面考慮，MRAM是各種存儲(chǔ)技術(shù)候選方案中最好的選項(xiàng)。但是它并不指望MARM會(huì)是“實(shí)際上可以替代我們今天所用的一切存儲(chǔ)技術(shù)的存儲(chǔ)器件”。

        Nantero公司首席執(zhí)行官Greg Schmergel認(rèn)為納米管存儲(chǔ)技術(shù)是“一種在原理上沒有物理限制的技術(shù)”，它最終能夠成為通用型的存儲(chǔ)技術(shù)。但是也和其他技術(shù)一樣，這種技術(shù)離市場(chǎng)的驗(yàn)證還相差甚遠(yuǎn)。并且，研究還在繼續(xù)，研究的過程也帶給我們這種可能性：即在將來某一天，一個(gè)真正通用的存儲(chǔ)芯片會(huì)真真切切地出現(xiàn)。