英飛凌科技股份公司日前宣布推出一款先進的硬盤驅動器讀取信道內核，這是第一種采用該公司90納米工藝生產(chǎn)的集成電路。該產(chǎn)品由英飛凌和日立環(huán)球存儲技術有限公司共同開發(fā)，是適用于下一代硬盤驅動器的高集成控制器芯。

英飛凌副總裁兼專用集成電路和設計解決方案事業(yè)部(ADS)總經(jīng)理Sandro Cerato說：“采用90納米工藝制造讀取信道內核，使硬盤驅動器行業(yè)能夠滿足下一代產(chǎn)品要求，包括更高的數(shù)據(jù)率、更低的能耗和更小的晶片面積，從而能夠以更具競爭力的成本推出更高級的片上系統(tǒng)(SoC)解決方案。首例經(jīng)過測試的內核芯片，鎖相環(huán)路(PLL)能夠達到3.6GHz的速度，而模擬前端信號通道可以實現(xiàn)高達2.7Gb/s的數(shù)據(jù)率。和采用130納米工藝的先進讀取信道相比，性能提高約50%?！?/P>

市場分析公司Gartner Dataquest于2005年8月發(fā)表的研究報告表明，在移動和臺式設置應用的推動下，全球硬盤驅動器產(chǎn)品市場規(guī)模預計將從2005年的33億美元增長到2009年的45億美元，增幅近30%。

據(jù)介紹，新一代讀取信道技術可以支持一些高級的功能，如垂直錄寫，并利用第二代反向并聯(lián)編碼技術來大幅提高存儲密度，實現(xiàn)更佳的信噪比(SNR)性能。英飛凌的90納米讀取信道內核立足于一個通用架構，適用于所有硬盤驅動器細分市場(如企業(yè)級、臺式、移動和超低功耗應用等)。按照每個細分市場的特定目標參數(shù)進行定制化設計，能夠滿足不同硬盤驅動器平臺的要求。

目前英飛凌正在開發(fā)另一種讀取信道內核產(chǎn)品，用于電池供電設備，旨在實現(xiàn)極低的功耗。由于采用了能夠支持手機等便攜產(chǎn)品的英飛凌90納米工藝，這種產(chǎn)品還能實現(xiàn)超長的待機時間和更佳的泄漏電流表現(xiàn)。

英飛凌ADS事業(yè)部的新型硬盤驅動器控制器可以在全球各地多家芯片工廠生產(chǎn)，從而大大方便客戶的供應鏈管理和業(yè)務拓展，這對硬盤驅動器行業(yè)尤其有益。目前，英飛凌位于德國德累斯頓的工廠和臺灣聯(lián)華電子公司都已引進英飛凌的90納米生產(chǎn)工藝。