ZDNet China 2月23日北京報(bào)道：Hynix首席財(cái)務(wù)官ChungHyung-ryang周日(22日)表示，Hynix中國(guó)大陸全資子公司建廠選址流程即將完成，估計(jì)2005年下半年就可投入DRAM量產(chǎn)，屆時(shí)即不會(huì)有關(guān)稅之類的貿(mào)易糾紛。此外，把Hynix南韓部分生產(chǎn)設(shè)備移往中國(guó)，也是可行方案。

　　Chung并未說(shuō)明Hynix將在中國(guó)何地建廠，也不愿透露年產(chǎn)目標(biāo)，不過(guò)Chung表示其非內(nèi)存業(yè)務(wù)處分作業(yè)可望在4月底前定案。且Hynix年底前會(huì)把NAND型flash月產(chǎn)能由1萬(wàn)顆提高到3萬(wàn)顆。