iSuppli分析家Nam Hyung Kim指出全球前四大DRAM制造商Hynix、Infineon、Micron與Samsung在最新的工藝技術上都面臨一些問題，限制了 DDR SDRAM產品的產量，并導致市場上價格的上揚。這些業(yè)者的問題主要發(fā)生在從原來的0.14或0.13微米工藝技術轉向0.11或0.10微米工藝技 術。這種轉換的問題在DRAM業(yè)界可說極為普遍，而且目前轉向更先進，更復雜程序所耗費的時間比之前的技術世代更為漫長。Kim表示，上 述這四家主要DRAM制造商除了Samsung之外，Hynix、Infineon與Micron都有0.11微米的問題，而Samsung從0.11微米轉向0.10微米也有差錯，良 率不夠高，主要是該公司bit-line采用新的材料，從tungsten silicide轉向tungsten。該公司在2004年第四季開始生產0.10微米DDR SDRAM “Die- F” ，分為256與512-MB，但Kim認為它迄今還不太成功，問題在短期之內也不易迅速解決。

    這些生產上的問題僅是DRAM業(yè)者近年來一連串問題中的一部份而已；兩年前全球DRAM價位大幅提升，后來價格崩盤，導致有些業(yè)者的 DRAM業(yè)務大幅虧損。美國與歐盟目前都在調查全球主要DRAM制造商是否聯手在2002年，聯合操控柯斷價格。據信某些業(yè)者考慮付出巨額罰 款以與檢察官方面達成協議。