英飛凌科技股份公司（Infineon）今日宣布推出一款先進(jìn)的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器讀取信道內(nèi)核，這是第一種采用該公司90納米工藝生產(chǎn)的集成電路。該產(chǎn)品由英飛凌和日立環(huán)球存儲(chǔ)技術(shù)有限公司共同開(kāi)發(fā)，是適用于下一代硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的高集成控制器芯片開(kāi)發(fā)過(guò)程中的一個(gè)里程碑。 

英飛凌副總裁兼專(zhuān)用集成電路和設(shè)計(jì)解決方案事業(yè)部（ADS）總經(jīng)理Sandro Cerato說(shuō)：“采用90納米工藝制造讀取信道內(nèi)核，使硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器行業(yè)能夠滿(mǎn)足下一代產(chǎn)品要求，包括更高的數(shù)據(jù)率、更低的能耗和更小的晶片面積，從而能夠以更具競(jìng)爭(zhēng)力的成本推出更高級(jí)的片上系統(tǒng)（SOC）解決方案。首例經(jīng)過(guò)測(cè)試的內(nèi)核芯片，鎖相環(huán)路(PLL)能夠達(dá)到3.6GHz的速度，而模擬前端信號(hào)通道可以實(shí)現(xiàn)高達(dá)2.7Gb/s的數(shù)據(jù)率。和采用130納米工藝的先進(jìn)讀取信道相比，性能提高約50%。”

新一代讀取信道技術(shù)可以支持一些高級(jí)的功能，如垂直錄寫(xiě)，并利用第二代反向并聯(lián)編碼技術(shù)來(lái)大幅提高存儲(chǔ)密度，實(shí)現(xiàn)更佳的信噪比（SNR）性能。 

英飛凌的90納米讀取信道內(nèi)核立足于一個(gè)通用架構(gòu)，適用于所有硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器細(xì)分市場(chǎng)（如企業(yè)級(jí)、臺(tái)式、移動(dòng)和超低功耗應(yīng)用等）。按照每個(gè)細(xì)分市場(chǎng)的特定目標(biāo)參數(shù)進(jìn)行定制化設(shè)計(jì)，能夠滿(mǎn)足不同硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器平臺(tái)的要求。

目前英飛凌正在開(kāi)發(fā)另一種讀取信道內(nèi)核產(chǎn)品，用于電池供電設(shè)備，旨在實(shí)現(xiàn)極低的功耗。由于采用了能夠支持手機(jī)等便攜產(chǎn)品的英飛凌90納米工藝，這種產(chǎn)品還能實(shí)現(xiàn)超長(zhǎng)的待機(jī)時(shí)間和更佳的泄漏電流表現(xiàn)。  
 
英飛凌采用其90納米CMOS工藝制造的全新讀寫(xiě)信道內(nèi)核，在單一芯片上融合了高性能、低能耗和模擬器件支持能力，可以滿(mǎn)足不同應(yīng)用的需要。英飛凌先進(jìn)的工藝和設(shè)計(jì)體系，能夠讓設(shè)計(jì)商以經(jīng)濟(jì)合算的方式對(duì)單一芯片上的混合信號(hào)和數(shù)字信號(hào)處理（DSP）進(jìn)行針對(duì)性?xún)?yōu)化，從而滿(mǎn)足從高性能企業(yè)級(jí)服務(wù)器到低功耗便攜式消費(fèi)電子產(chǎn)品等各種應(yīng)用的需求。90納米CMOS工藝的主要優(yōu)勢(shì)是，利用先進(jìn)的節(jié)能概念，如有源井、時(shí)鐘門(mén)控（clock-gating）和帶有6-9層銅金屬化的微動(dòng)開(kāi)關(guān)等，將多個(gè)閾值電壓和多個(gè)最小閘極尺寸僅為70納米的閘極氧化層設(shè)備集成于單一芯片上。