美國司法部近日表示,又有三位DRAM廠商的高管被指控在2001-2002年期間卷入DRAM價格操縱案。其中有兩位是三星電子的韓國公民,另一位是海力士(Hynix)旗下美國子公司的美國公民。起訴書指控Hynix America的內(nèi)存銷售高級副總裁Gary Swanson,以及三星內(nèi)存部門的高管Il Ung Kim和Young Bae Rha在2001年4月-2002年6月15日期間參與了操縱DRAM內(nèi)存芯片價格的共謀。
到目前為止,一共有16人被控參與了與DRAM價格操縱共謀有關(guān)的刑事犯罪,此前遭到指控的13人已經(jīng)認罪,并被判入獄服刑和繳納罰金。
美國司法部一直在調(diào)查1999-2003年DRAM制造商的價格操縱問題。迄今罰金總額超過7.31億美元。美國司法部表示,7.31億美元的罰款是該部從單件價格操縱共謀案件中所收取的第二高罰款。1999年,美國司法部曾對參與維生素產(chǎn)業(yè)價格操縱的兩家公司罰款7.75億美元。
Kim、Rha和Swanson均被控違反了美國的謝爾曼反壟斷法(Sherman Antitrust Act.),面臨的最高刑期是入獄三年外加35萬美元罰金。上月長期擔任三星旗下美國公司Samsung Semiconductor高管的Thomas Quinn也認罪,被判服刑八個月并支付25萬美元罰款。
三星電子(Samsung Electronics)的三名高管在今年3月已同意認罪。德國英飛凌和韓國海力士(Hynix Semiconductor)一共有8人認罪,并被判入獄五到八個月,每人支付25萬美元罰款。美光(Micron Technology)的一位高管則早在2003年12月承認妨礙司法并被判軟禁六個月。
去年10月三星接受美國對其操縱價格的指控,同意支付3億美元罰金。韓國的Hynix Semiconductor在去年4月認罪,并同意支付1.85億美元的罰款。德國英飛凌(Infineon Technologies)在2004年9月同意支付1.6億美元的罰款。今年1月份,日本廠商Elpida Memory同意認罪,并支付8,400萬美元的罰款。
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LED驅(qū)動電源的輸入包括高壓工頻交流(即市電)、低壓直流、高壓直流、低壓高頻交流(如電子變壓器的輸出)等。
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驅(qū)動電源
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驅(qū)動電源
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驅(qū)動電源
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