近日消息，三星電子研制開發(fā)出了世界首款40納米工藝DDR2動態(tài)內(nèi)存產(chǎn)品（1納米等于十億分之一米）。繼05年率先開發(fā)出60納米內(nèi)存，06年開發(fā)出50納米內(nèi)存后，09年伊始三星電子再次通過成功開發(fā)40納米動態(tài)內(nèi)存產(chǎn)品，向外界宣告了其領(lǐng)先的競爭力。

計劃2010年開始正式進行40納米內(nèi)存產(chǎn)品批量生產(chǎn)

據(jù)了解三星電子內(nèi)存升級產(chǎn)品量產(chǎn)的時間為：07年3月實現(xiàn)60納米內(nèi)存量產(chǎn)、08年4月實現(xiàn)50納米內(nèi)存量產(chǎn)、09年第3季度將實現(xiàn)40納米內(nèi)存產(chǎn)品的量產(chǎn)。

三星電子計劃通過本次開發(fā)的40納米1G DDR2內(nèi)存制造工藝，在09年實現(xiàn)40納米2G DDR3的開發(fā)和量產(chǎn)。從06年開發(fā)出50納米內(nèi)存產(chǎn)品到08年實現(xiàn)量產(chǎn)，用了兩年的時間，而此次工藝更為精湛的40納米產(chǎn)品開發(fā)到量產(chǎn)只用了一年。

40納米2G DDR3內(nèi)存比08年9月量產(chǎn)的50納米2G DDR3生產(chǎn)效率可提高約60%。相對于其他生產(chǎn)50至60納米內(nèi)存的企業(yè)，三星電子借此確保了1至2年的領(lǐng)先優(yōu)勢。

40納米內(nèi)存與50納米產(chǎn)品相比不僅縮小了芯片面積，提高了生產(chǎn)率，還強化了低電低壓的特點，使1.2V環(huán)境下運行成為可能。因此40納米內(nèi)存能夠比50納米1.5V內(nèi)存減耗30%以上。這樣就能夠為服務(wù)器等高耗能設(shè)備提供更加環(huán)保高效的能源解決方案。

三星電子通過搶占40納米內(nèi)存市場，一方面開拓了強調(diào)環(huán)保性能的高附加值內(nèi)存市場，同時為未來開發(fā)DDR4等高速下一代大容量高性能產(chǎn)品打下了良好的基礎(chǔ)。三星電子計劃將繼續(xù)保持業(yè)內(nèi)最領(lǐng)先的技術(shù)水平以確保領(lǐng)先的競爭力。

三星電子借40納米產(chǎn)品成為業(yè)內(nèi)惟一獲得英特爾雙重認證的企業(yè)（單品和模塊分別獲得認證）

值得一提的是，本次三星開發(fā)的40納米DDR2產(chǎn)品，繼08年12月通過了英特單品使用測試之后，09年1月1G DDR2 SoDIMM模塊組也通過了英特爾使用測試，是內(nèi)存供應(yīng)商中唯一一個獲得雙重英特爾認證的企業(yè)。