三星電子研發(fā)出世界首款40納米內(nèi)存
近日消息,三星電子研制開(kāi)發(fā)出了世界首款40納米工藝DDR2動(dòng)態(tài)內(nèi)存產(chǎn)品(1納米等于十億分之一米)。繼05年率先開(kāi)發(fā)出60納米內(nèi)存,06年開(kāi)發(fā)出50納米內(nèi)存后,09年伊始三星電子再次通過(guò)成功開(kāi)發(fā)40納米動(dòng)態(tài)內(nèi)存產(chǎn)品,向外界宣告了其領(lǐng)先的競(jìng)爭(zhēng)力。
計(jì)劃2010年開(kāi)始正式進(jìn)行40納米內(nèi)存產(chǎn)品批量生產(chǎn)
據(jù)了解三星電子內(nèi)存升級(jí)產(chǎn)品量產(chǎn)的時(shí)間為:07年3月實(shí)現(xiàn)60納米內(nèi)存量產(chǎn)、08年4月實(shí)現(xiàn)50納米內(nèi)存量產(chǎn)、09年第3季度將實(shí)現(xiàn)40納米內(nèi)存產(chǎn)品的量產(chǎn)。
三星電子計(jì)劃通過(guò)本次開(kāi)發(fā)的40納米1G DDR2內(nèi)存制造工藝,在09年實(shí)現(xiàn)40納米2G DDR3的開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)。從06年開(kāi)發(fā)出50納米內(nèi)存產(chǎn)品到08年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),用了兩年的時(shí)間,而此次工藝更為精湛的40納米產(chǎn)品開(kāi)發(fā)到量產(chǎn)只用了一年。
40納米2G DDR3內(nèi)存比08年9月量產(chǎn)的50納米2G DDR3生產(chǎn)效率可提高約60%。相對(duì)于其他生產(chǎn)50至60納米內(nèi)存的企業(yè),三星電子借此確保了1至2年的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。
40納米內(nèi)存與50納米產(chǎn)品相比不僅縮小了芯片面積,提高了生產(chǎn)率,還強(qiáng)化了低電低壓的特點(diǎn),使1.2V環(huán)境下運(yùn)行成為可能。因此40納米內(nèi)存能夠比50納米1.5V內(nèi)存減耗30%以上。這樣就能夠?yàn)榉?wù)器等高耗能設(shè)備提供更加環(huán)保高效的能源解決方案。
三星電子通過(guò)搶占40納米內(nèi)存市場(chǎng),一方面開(kāi)拓了強(qiáng)調(diào)環(huán)保性能的高附加值內(nèi)存市場(chǎng),同時(shí)為未來(lái)開(kāi)發(fā)DDR4等高速下一代大容量高性能產(chǎn)品打下了良好的基礎(chǔ)。三星電子計(jì)劃將繼續(xù)保持業(yè)內(nèi)最領(lǐng)先的技術(shù)水平以確保領(lǐng)先的競(jìng)爭(zhēng)力。
三星電子借40納米產(chǎn)品成為業(yè)內(nèi)惟一獲得英特爾雙重認(rèn)證的企業(yè)(單品和模塊分別獲得認(rèn)證)
值得一提的是,本次三星開(kāi)發(fā)的40納米DDR2產(chǎn)品,繼08年12月通過(guò)了英特單品使用測(cè)試之后,09年1月1G DDR2 SoDIMM模塊組也通過(guò)了英特爾使用測(cè)試,是內(nèi)存供應(yīng)商中唯一一個(gè)獲得雙重英特爾認(rèn)證的企業(yè)。