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[導(dǎo)讀]盡管近期DRAM價(jià)格大幅反彈,但估計(jì)2009年第3季仍?xún)H有韓系兩大廠三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)可以賺錢(qián),2010年再輪到美光(Micron)和爾必達(dá)(Elpida)轉(zhuǎn)虧為盈,至于臺(tái)廠方面,由于 2010年三星制程技術(shù)

盡管近期DRAM價(jià)格大幅反彈,但估計(jì)2009年第3季仍?xún)H有韓系兩大廠三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)可以賺錢(qián),2010年再輪到美光(Micron)和爾必達(dá)(Elpida)轉(zhuǎn)虧為盈,至于臺(tái)廠方面,由于 2010年三星制程技術(shù)將晉級(jí)到40納米,以目前臺(tái)廠腳步,未來(lái)恐將會(huì)有多家大廠被迫淡出標(biāo)準(zhǔn)型DRAM市場(chǎng)。

DRAM價(jià)格雖已開(kāi)始反彈,然復(fù)原最快廠商仍是三星,第2季已開(kāi)始賺錢(qián),預(yù)計(jì)第3季三星和海力士兩大韓廠都可望進(jìn)入獲利,隨著DRAM產(chǎn)業(yè)逐步復(fù)蘇,美光和爾必達(dá)2010年可望陸續(xù)轉(zhuǎn)虧為盈。反觀臺(tái)廠,過(guò)去在每一次DRAM景氣復(fù)蘇過(guò)程中,都是最慢獲利的,但這次情況恐將大不相同。

存儲(chǔ)器業(yè)者指出,由于三星2010年將從50納米轉(zhuǎn)進(jìn)40納米制程,大部分臺(tái)廠卻仍停留在70納米或60納米制程,臺(tái)廠2010年不僅將面臨最晚獲利窘境,甚至?xí)媾R生存保衛(wèi)戰(zhàn),恐將被迫淡出標(biāo)準(zhǔn)型DRAM領(lǐng)域,轉(zhuǎn)進(jìn)晶圓代工或利基型存儲(chǔ)器市場(chǎng)。

存儲(chǔ)器業(yè)者認(rèn)為,這次DRAM產(chǎn)業(yè)虧損甚鉅,問(wèn)題不是出在生產(chǎn)家數(shù)過(guò)多,而是除三星之外,各廠前一波賺到錢(qián)時(shí)間點(diǎn)都一樣,因此,都在同一時(shí)間點(diǎn)進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)投資,導(dǎo)致產(chǎn)能大量產(chǎn)出時(shí)間點(diǎn)過(guò)近,進(jìn)而使得價(jià)格崩跌,未來(lái)惟有師法三星分散產(chǎn)品線,不能只押注DRAM產(chǎn)品,才能避免悲劇再發(fā)生。

此外,這波DRAM產(chǎn)業(yè)大浩劫,雖然價(jià)格跌幅并不是史上最慘烈,但各DRAM廠虧損金額卻刷新史上新紀(jì)錄,2000~2003年DRAM價(jià)格跌幅是史上最鉅,全球各家DRAM廠合計(jì)虧損約86億美元,2007年第2季到2009年第2季DRAM價(jià)格跌幅并未破紀(jì)錄,但全球各廠虧損金額卻高達(dá)173億美元,成為史上最慘烈。

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