英特爾25nm閃存量產(chǎn) 演繹新固態(tài)硬盤時代
[導(dǎo)讀]據(jù)國外媒體報道，英特爾證實它與美光閃存公司合作開發(fā)的25nm閃存已經(jīng)開始量產(chǎn)，并開始向消費者供貨。IMFT（Intel-Micron Flash Technologies，英特爾美光閃存技術(shù)公司）于今年一月在DailyTech展示了25nm芯片樣本，二
據(jù)國外媒體報道，英特爾證實它與美光閃存公司合作開發(fā)的25nm閃存已經(jīng)開始量產(chǎn)，并開始向消費者供貨。
IMFT（Intel-Micron Flash Technologies，英特爾美光閃存技術(shù)公司）于今年一月在DailyTech展示了25nm芯片樣本，二月份發(fā)布了官方聲明。英特爾和美光公司都期望25nm NAND閃存被用在新一代固態(tài)硬盤上。英特爾同時致力于開發(fā)一款支持ONFI2.2的新NAND閃存控制器。
IMFT 8GB NAND芯片尺寸僅為一百六十七平方毫米，可容納2,000首歌曲，7000張照片或8小時的視頻。由于iPad和智能手機的出現(xiàn)，以后對于NAND閃存的要求會越來越高。固態(tài)硬盤，USB和高容量存儲卡的需求也會增長。
更小的芯片尺寸使IMFT以最小的成本增加閃存芯片的容量。在去年七月發(fā)布34nm 產(chǎn)品時，英特爾將它的固態(tài)硬盤價格降低了60%。
今年整個閃存芯片產(chǎn)業(yè)會有很大的發(fā)展。Hynix準備在七月量產(chǎn)26nm NAND，Toshiba和SanDisk準備24nm產(chǎn)品。美光公司稱以上產(chǎn)品都屬于20nm級的技術(shù)。
這種技術(shù)的另一個優(yōu)勢是密度和封裝尺寸。美光的25nm NAND封裝達到12毫米，符合業(yè)界20毫米的薄型小尺寸封裝標準。
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