針對(duì) DRAM 廠明年獲利分析，集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門(mén) DRAMeXchange 指出，明年 DRAM 均價(jià)較今年下跌約30%。然而隨著制程轉(zhuǎn)進(jìn)、成本下降， DRAM 廠營(yíng)業(yè)利益率(OP Margin)成本優(yōu)勢(shì)最佳者，今年?duì)I業(yè)利益率平均為36%，明年平均為26%；而成本優(yōu)勢(shì)落后者，今年下半年轉(zhuǎn)虧為盈，明年?duì)I業(yè)利益率約可維持在10% 上下。

DRAMeXchange 表示，今年下半年 DRAM 產(chǎn)業(yè)制程加速4xnm轉(zhuǎn)進(jìn)，產(chǎn)出增加將帶動(dòng)價(jià)格下跌，然而價(jià)格下跌將刺激 DRAM 搭載量趨勢(shì)往4GB以上，預(yù)估DRAM均價(jià)于今年第四季向下修正。此外，面對(duì)三星(Samsung)擴(kuò)大資本支出，產(chǎn)能增加及技術(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)，其它DRAM廠也積極強(qiáng)化其競(jìng)爭(zhēng)力。
 
DRAMeXchange指出，策略規(guī)劃與未來(lái)發(fā)展的方向分析方面，海力士(Hynix)將2010年資本支出調(diào)高近1/3達(dá)26億美元，加速44nm制程及 NAND Flash 3xnm之技術(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)。美光(Micron)陣營(yíng)方面，在50nm轉(zhuǎn)進(jìn)同時(shí)加速42nm制程研發(fā)，預(yù)計(jì)于Q310開(kāi)始投片量產(chǎn)。臺(tái)灣廠商南科與華亞科計(jì)劃二度調(diào)高資本支出，加速浸潤(rùn)式機(jī)臺(tái)采購(gòu)進(jìn)度與美光同步42nm制程技轉(zhuǎn)。

日本爾必達(dá)(Elpida)陣營(yíng)則今年提升在廣島廠行動(dòng)內(nèi)存投片比重，將標(biāo)準(zhǔn)型 DRAM 生產(chǎn)重心移往臺(tái)灣瑞晶；目前瑞晶已正式量產(chǎn)63nm制程，42nm制程預(yù)計(jì)七月正式投片。力晶則規(guī)劃加強(qiáng)代工與 NAND Flash 的比例，未來(lái)朝標(biāo)準(zhǔn)型 DRAM 、代工業(yè)務(wù)與NAND Flash三大事業(yè)體多元化發(fā)展。

華邦則決定淡出標(biāo)準(zhǔn)型DRAM，業(yè)務(wù)發(fā)展優(yōu)先級(jí)依次為NOR Flash、繪圖內(nèi)存、行動(dòng)內(nèi)存，同時(shí)在取得奇夢(mèng)達(dá)46nm技術(shù)，自行再研發(fā)生產(chǎn)46nm。茂德則是出售新竹二廠，集中資源于中科廠，積極導(dǎo)入爾必達(dá) 63nm制程技術(shù)。
 
三星于5月中旬宣布今年內(nèi)存事業(yè)群將投資金額由原先的5.5兆韓元(約48億美元)，加碼到9兆韓元(約78億美元)，并將興建20萬(wàn)片的12吋晶圓廠 Line 16、17，生產(chǎn)DRAM與NAND Flash，投片計(jì)劃則視當(dāng)時(shí)市場(chǎng)而定。

估計(jì)三星新廠房、無(wú)塵室興建及設(shè)備移入時(shí)間約需一年，最快明年第三季可投片生產(chǎn)，產(chǎn)出則在明年第四季，今年下半年將擴(kuò)充現(xiàn)有Line-15的產(chǎn)能并開(kāi)始轉(zhuǎn)進(jìn)35納米DDR3。該公司今年也將在System LSI業(yè)務(wù)方面投資約2兆韓元(17億美元)，以因應(yīng)手機(jī)與數(shù)字電視等產(chǎn)品對(duì)系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)的強(qiáng)勁需求，同時(shí)強(qiáng)化晶圓代工業(yè)務(wù)。

三星今年大幅提升其資本支出，使三星占整體DRAM產(chǎn)業(yè)資本支出比例由往年約25%大幅提升至41%，主要加重研發(fā)及廠房設(shè)備投資，全部臺(tái)系 DRAM廠資本支出今年約占整體產(chǎn)業(yè)34%。今年第一季三星DRAM方面的營(yíng)收約30億美元，市占率達(dá)32%，在資本支出增加、產(chǎn)能擴(kuò)充及技術(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)下，預(yù)估三星DRAM營(yíng)收市占率在今年下半年將突破35%，2011年將突破40%。