來(lái)自北京清華大學(xué)的研究人員開(kāi)發(fā)出一種新技術(shù)，號(hào)稱能讓MARM的儲(chǔ)存速度與功耗大幅改善；這種電子開(kāi)關(guān)(electrical switching)技術(shù)寫(xiě)入位元所需的能源較少。

      上述新技術(shù)的基本概念，是將磁域開(kāi)關(guān)「部分」開(kāi)關(guān)、而非完全轉(zhuǎn)換其磁場(chǎng)方向；北京清大的研究人員表示，這種方式仍能讓MARM儲(chǔ)存二進(jìn)制位元，但所需的開(kāi)關(guān)速度卻快得多，所耗費(fèi)的能源量也是會(huì)比一般狀況少很多。

      傳統(tǒng)MRAM是利用磁場(chǎng)來(lái)開(kāi)關(guān)位元單元，使得這種存儲(chǔ)器的密度不如快閃存儲(chǔ)器；不久前，一個(gè)日本研究團(tuán)隊(duì)也發(fā)表了利用電子開(kāi)關(guān)方式執(zhí)行垂直寫(xiě)入，讓MRAM儲(chǔ)存密度可獲得大幅提升、甚至可超越快閃存儲(chǔ)器的方法。北京清大的研究團(tuán)隊(duì)則聲稱，以電子方式開(kāi)關(guān)的MRAM，在速度與功耗方面都優(yōu)于目前的磁性開(kāi)關(guān)元件。

      不同于磁性開(kāi)關(guān)的MRAM位元單元需要較復(fù)雜的多層堆棧(multilayered stack)，北京清大研究人員所制作的電子開(kāi)關(guān)MRAM位元單元，僅只使用了兩層不同的鐵電薄膜。透過(guò)將該雙層架構(gòu)的條紋狀磁區(qū)間的障壁打散，會(huì)產(chǎn)生一種影響其磁性的電子訊號(hào)；這會(huì)讓該架構(gòu)轉(zhuǎn)換成單一磁區(qū)，其薄膜的電阻率也被改變到剛好偵測(cè)得到。

      北京清大的研究人員證實(shí)，在他們的MRAM位元單元提供一個(gè)電壓，能讓磁區(qū)障壁出現(xiàn)或是消失，用以儲(chǔ)存信息。目前該團(tuán)隊(duì)正在加強(qiáng)透過(guò)讓磁區(qū)障壁出現(xiàn)或消失所引起的電阻率改變，以最佳化其材料堆棧、期望可進(jìn)行商業(yè)化。