Elpida 和Spansion開始合作生產電荷俘獲型NAND閃存
[導讀]Elpida和Spansion發(fā)明一種電荷俘獲型閃存，為1.8V SLC(單層單元)4Gb NAND閃存存儲器。它是基于Spansion的MirrorBit電荷俘獲型技術在Elpida的廣島廠進行量產。按公司的說法，與通常的浮柵NAND閃存相比，電荷俘獲型NAN
Elpida和Spansion發(fā)明一種電荷俘獲型閃存，為1.8V SLC(單層單元)4Gb NAND閃存存儲器。它是基于Spansion的MirrorBit電荷俘獲型技術在Elpida的廣島廠進行量產。
按公司的說法，與通常的浮柵NAND閃存相比，電荷俘獲型NAND在更簡單的單元結構下可以作到尺寸更小，同時功能更強，讀出速度更快及可編程速度更快。
Elpida計劃把NAND閃存與移動RAM結合一起銷售移動消費類產品。除此之外，Spansion正開發(fā)用于嵌入式及選擇無線市場的NAND，以及繼續(xù)生產和銷售它的NOR閃存產品給汽車電子、消費電子、通訊、工業(yè)和選擇無線市場中的客戶。
Elpida的CEO Yukio Sakamoto表示Elpida己經試制出電荷俘獲型NAND樣品，并取得很好的結果。所以將盡我們之可能加速進行量產。Elpida計劃于2010 Q4提供1.8V 4Gb的新NAND樣品，并于2011年Q1開始量產，并同時開發(fā)2Gb及1Gb的新NAND產品。
Spansion計劃2011 Q1提供樣品及Q2進行量產。兩個公司都正在開發(fā)3.0V的1Gb，2Gb and 4Gb產品。為了滿足客戶需求，Elpida 和Spansion開始合作生產電荷俘獲型NAND閃存，而且公司正在開發(fā)全系列的NAND閃存產品。
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