臺(tái)灣長(zhǎng)久缺席的快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)終于出現(xiàn)曙光，由于既有NAND Flash技術(shù)在20納米制程以下面臨天險(xiǎn)，全球大廠紛競(jìng)逐下世代技術(shù)，近期國(guó)家納米元件實(shí)驗(yàn)室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技術(shù)架構(gòu)下，研發(fā)出全球最小的9納米電阻式存儲(chǔ)器，計(jì)劃在2011年下半正式成立“16-8納米元件聯(lián)盟”，將廣邀存儲(chǔ)器廠及晶圓代工廠加入，首波會(huì)先洽談臺(tái)系存儲(chǔ)器廠，目標(biāo)5~10年內(nèi)將此技術(shù)導(dǎo)入量產(chǎn)，讓臺(tái)灣正式加入NAND Flash產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)局。

NAND Flash技術(shù)在20納米制程以前，臺(tái)灣存儲(chǔ)器業(yè)者完全沒(méi)有參與權(quán)，因?yàn)橄嚓P(guān)技術(shù)和專利都被國(guó)際大廠所掌控，但在20納米制程以下，傳統(tǒng)浮動(dòng)閘(Floating Gate)技術(shù)出現(xiàn)天險(xiǎn)，面臨儲(chǔ)存電子數(shù)越來(lái)越少問(wèn)題，NAND Flash技術(shù)出現(xiàn)大變革，各種下世代存儲(chǔ)器陸續(xù)問(wèn)世。目前新世代存儲(chǔ)器技術(shù)架構(gòu)包括PRAM(Phase Change RAM)、MRAM(Magnetic RAM)、R-RAM等，暫無(wú)法確定誰(shuí)能勝出，存儲(chǔ)器龍頭廠三星電子(Samsung Electronics)由于資源龐大，幾乎各種技術(shù)都投入研發(fā)。

這次NDL完成全球最小的9納米存儲(chǔ)器，系采用R-RAM技術(shù)為架構(gòu)，已于12月在美國(guó)舊金山所舉行國(guó)際電子元件會(huì)議(IEDM)正式發(fā)表，NDL在實(shí)驗(yàn)室成立1條產(chǎn)線做研發(fā)，未來(lái)希望能再建1條產(chǎn)線，最終目標(biāo)是希望將這個(gè)9納米產(chǎn)品導(dǎo)入12寸或18寸晶圓廠，作為量產(chǎn)產(chǎn)品。另外，目前布局R-RAM技術(shù)業(yè)者還包括英特爾(Intel)、新帝(SanDisk)、三星、IBM等。

NDL計(jì)劃成立“16-8納米元件聯(lián)盟”，作為NAND Flash技術(shù)平臺(tái)，并成為臺(tái)廠未來(lái)發(fā)展新世代NAND Flash技術(shù)的專利后盾，此聯(lián)盟預(yù)計(jì)2011年下半正式成立，將廣邀存儲(chǔ)器廠和晶圓代工廠加入，首波邀請(qǐng)對(duì)象為存儲(chǔ)器業(yè)者，包括旺宏、華邦、力晶、瑞晶、南亞科、華亞科、茂德等。

由于考量到聯(lián)盟組織最后易淪為口號(hào)，且大部分業(yè)者不愿將最頂尖技術(shù)貢獻(xiàn)到臺(tái)面上，因此，未來(lái)此聯(lián)盟將設(shè)計(jì)多種模式，鼓勵(lì)業(yè)者及各方研究菁英加入，象是繳交權(quán)利金換取專利使用權(quán)、技術(shù)合作等，未來(lái)目標(biāo)是仿效IBM華生研究中心 (Thomas J. Watson Research Center)，專門(mén)培育半導(dǎo)體人才。

NDL強(qiáng)調(diào)，學(xué)界主要專注于研發(fā)和布局累積專利數(shù)量，未來(lái)要導(dǎo)入量產(chǎn)仍是要靠業(yè)界，目前9納米產(chǎn)品雛形已具備，但要導(dǎo)入8寸或12寸晶圓廠才是挑戰(zhàn)開(kāi)始，目標(biāo)是希望5~10年內(nèi)可進(jìn)入量產(chǎn)，讓臺(tái)灣正式加入NAND Flash產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)局。