最近，《EETimes》記者RickMerritt在采訪英特爾高層MarkBohr的一篇報導中寫道：“MarkBohr認為，無晶圓廠經(jīng)營模式已經(jīng)快不行了。”

這篇報導引起了廣大回響，因為內(nèi)容暗示了英特爾將重回智慧手機市場，并對目前由臺積電(TSMC)-ARM和多家無晶圓公司組成的生態(tài)系統(tǒng)發(fā)出了質(zhì)疑。

另外，最近還有兩篇相關(guān)的部落格文章《IsNVIDIAinaPanic?Ifso,whataboutAMD?Otherfablesscompanies?》，《WhySamsungwillgiveMorrisChangsleeplessnights》，也對相關(guān)議題進行了討論。(編按：這兩篇文章并未翻成中文，請有興趣的讀者點選連結(jié)參考)

事實上，近期業(yè)界一再出現(xiàn)有關(guān)晶圓代工產(chǎn)業(yè)的重大消息，包括高通(Qualcomm)與臺積電之間的產(chǎn)能問題；蘋果(Apple)并未將訂單從三星(Samsung)釋出給臺積電；還有超微(AMD)由于與GlobalFoundries之間的合作出現(xiàn)問題而打算將制造業(yè)務轉(zhuǎn)移給臺積等；另外，還有許多報導都提到了一些聲明，像是“Nvidia對臺積電深感不滿，還聲稱其20nm制程是毫無價值的”，另外，在《EETimes》的論壇中，針對《RequiredchangeinEDAvendors"roleandrewardvs.scalingyield》一文，我們也看到了業(yè)界人士討論著一個無可避免的問題：我們是否正面臨著從晶圓代工朝向IDM模式的戲劇化逆轉(zhuǎn)？

看來，這段時間以來半導體產(chǎn)業(yè)在微縮技術(shù)方面的進展，似乎為新一代整合產(chǎn)品提供了更多優(yōu)勢，包括在設計、EDA工具和制造之間的權(quán)衡，進而提供更好的終端產(chǎn)品。這些整合的優(yōu)勢均呈現(xiàn)在良率方面，目前，所有損害良率的主因大多與設計相關(guān)，而非隨機的缺陷問題，以及先進制程中某些層需要雙重甚至三重/四重圖案的制造成本等因素所致。

因此，這或許能解釋為何臺積電和GlobalFoundries都宣布投資3DIC生產(chǎn)線。(參考：臺積電調(diào)高資本支出加速20nm制程；GlobalFoundries開始安裝20nmTSV設備)

我們很高興看到3DIC成為市場關(guān)注焦點，我們也相信，3D晶片制造能力將在未來進一步協(xié)助代工廠擴展其影響力。藉由3DIC技術(shù)，只要簡單地增加層數(shù)，或許2就能簡單地實現(xiàn)摩爾定律(Morre"sLaw)每隔十八個月便增加一倍電晶體數(shù)量的目標。3DIC將提供更強大的晶片、更快的速度，以及更好的成本效益。

今天，從IDM到代工廠都已經(jīng)體認到3DIC的發(fā)展?jié)摿?，而且不斷力大投資力度。所有的努力都正在加速3D晶片的發(fā)展，并因而為晶片產(chǎn)業(yè)開啟新的發(fā)展前景。然而，要說今天的晶片業(yè)所面臨的挑戰(zhàn)，是否會撼動這個長久以來推動該產(chǎn)業(yè)發(fā)展的晶圓代工業(yè)務模式，事實上都還言之過早。

晶圓代工廠為許多無晶圓廠客戶提供服務，而這種產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)，正是推動整個半導體業(yè)成長至今天規(guī)模的最主要動力之一。今天，在跨越到3DIC時，整個晶片產(chǎn)業(yè)都面對著巨大挑戰(zhàn)，這是從基本電晶體結(jié)構(gòu)到制造及封裝在內(nèi)，每一個環(huán)節(jié)都要共同面對的難題。隨著3D晶片技術(shù)的進展，這些技術(shù)難關(guān)看來也可望獲得解決。

無論是IDM或代工廠，都致力于投入從次20nm平面到1x-nm3D制程的技術(shù)研發(fā)，這些研發(fā)投入，將會是未來幾年內(nèi)推動整個晶片產(chǎn)業(yè)再向前邁進的動力。

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